INFORME1 T 1
Páginas: 5 (1146 palabras)
Publicado: 10 de abril de 2015
Medición de los parámetros del SCR
Bryan Atencia, Martin Barros, Andrea Jaramillo y Jesús Pérez
Profesor Farid Melendez. Grupo AD – Mesa 4. 08-09-2012
Laboratorio de Electrónica, Universidad de la Costa, Barranquilla
Resumen
En esta práctica partiendo del concepto de SCR como dispositivo semiconductor que trabaja en dos estados y está formado por tres terminales: Ánodo, cátodo y compuerta;Se monta un circuito para la posterior medición de parámetros: Corriente de disparo de compuerta, corriente de mantenimiento y corriente de enganche.
Palabras Clave
SCR, Corriente de disparo de compuerta, corriente de mantenimiento y corriente de enganche.
Abstract
In this practice based on the concept of SCR as semiconductor device that works in twostates and is composed of three terminals: anode, cathode and gate, a circuit is mounted for subsequent measurement of parameters: Gate trigger current, holding current and latching hitch.
Key Words
SCR, gate trigger current, holding current and latching current.
1. Introducción
La industria moderna se mueve gracias a la energía eléctrica. Esta energía, que llega a las industrias a través de lared trifásica, necesita ser modificada convenientemente para adaptarse a las necesidades de las diferentes aplicaciones. Tradicionalmente la electrotecnia ha aportado soluciones para realizar la conversión de la energía eléctrica que, en su mayoría, resultan voluminosas, de elevado coste y bajo rendimiento. Afortunadamente, el gran desarrollo experimentado por los dispositivos semiconductores depotencia en las últimas décadas, ha permitido desarrollar conversores electrónicos mucho menos voluminosos y caros, y de un elevado rendimiento [1]. Como ejemplo de dichos conversores, contamos con los SCR, que en la práctica se busca comprobar los principales parámetros de este a través de la comparación con los valores registrados en el datasheet del dispositivo.
2. Fundamentos Teóricos
Untiristor es un dispositivo semiconductor estructuralmente formado por 4 capas de silicio alternadas tipo P y N, unidas por 3 uniones o junturas. Tiene tres terminales: ánodo (P) cátodo (N) y compuerta (Gate). Los tiristores se operan como conmutadores biestables, para muchas aplicaciones se puede suponer que los tiristores son interruptores o conmutadores ideales, aunque los tiristores prácticosexhiben ciertas características y limitaciones. Los tiristores son fabricados por difusión [2].
Ilustración 1.
3. Desarrollo experimental y Resultados
1 SCR C106MG ON semiconductor
1 Potenciómetro de 100KΩ
1 Resistencia de 2KΩ ½ W
4 Resistencias de 100kΩ ½ W
1 Resistencia de 220Ω ½ W
1 LED
1 Fuente de alimentación variable de 12 VCD
1 Micro amperímetro
1 Protoboard
Cables UTPIlustración 2. Materiales
La práctica consistió en la medición de los parámetros del tiristor SCR C106MG ON: corriente de disparo por compuerta (), corriente de mantenimiento (IH) y la corriente de enganche () con la alimentación de una fuente de voltaje con 6V.
Como primero se montó el circuito de la ilustración 4, para hallar la corriente de disparo por compuerta, a través de la variación delpotenciómetro descendiendo desde 100KΩ hasta llegar a un punto en que el SCR empieza un estado de conducción, gracias a la corriente =10,5µA. Lo cual se evidencia cuando el LED está encendido.
Ilustración 3.Medición corriente de disparo por compuerta
Ilustración 4. Circuito para hallar corriente de disparo de compuerta
De segundo se monta el próximo circuito para medir IH e , correspondientes a IH =263 µA, = 273 µA, respectivamente. Para obtener el valor de IH se coloca el potenciómetro en el mínimo valor igual a 100kΩ, se sitúa un amperímetro en el terminal del ánodo del SCR y se realiza un pulso, para después variar decrecientemente el potenciómetro hasta que el amperímetro empiece a mostrar valores de corriente y tomar el valor que se lea antes de que el SCR entre a estado de Bloqueo....
Bryan Atencia, Martin Barros, Andrea Jaramillo y Jesús Pérez
Profesor Farid Melendez. Grupo AD – Mesa 4. 08-09-2012
Laboratorio de Electrónica, Universidad de la Costa, Barranquilla
Resumen
En esta práctica partiendo del concepto de SCR como dispositivo semiconductor que trabaja en dos estados y está formado por tres terminales: Ánodo, cátodo y compuerta;Se monta un circuito para la posterior medición de parámetros: Corriente de disparo de compuerta, corriente de mantenimiento y corriente de enganche.
Palabras Clave
SCR, Corriente de disparo de compuerta, corriente de mantenimiento y corriente de enganche.
Abstract
In this practice based on the concept of SCR as semiconductor device that works in twostates and is composed of three terminals: anode, cathode and gate, a circuit is mounted for subsequent measurement of parameters: Gate trigger current, holding current and latching hitch.
Key Words
SCR, gate trigger current, holding current and latching current.
1. Introducción
La industria moderna se mueve gracias a la energía eléctrica. Esta energía, que llega a las industrias a través de lared trifásica, necesita ser modificada convenientemente para adaptarse a las necesidades de las diferentes aplicaciones. Tradicionalmente la electrotecnia ha aportado soluciones para realizar la conversión de la energía eléctrica que, en su mayoría, resultan voluminosas, de elevado coste y bajo rendimiento. Afortunadamente, el gran desarrollo experimentado por los dispositivos semiconductores depotencia en las últimas décadas, ha permitido desarrollar conversores electrónicos mucho menos voluminosos y caros, y de un elevado rendimiento [1]. Como ejemplo de dichos conversores, contamos con los SCR, que en la práctica se busca comprobar los principales parámetros de este a través de la comparación con los valores registrados en el datasheet del dispositivo.
2. Fundamentos Teóricos
Untiristor es un dispositivo semiconductor estructuralmente formado por 4 capas de silicio alternadas tipo P y N, unidas por 3 uniones o junturas. Tiene tres terminales: ánodo (P) cátodo (N) y compuerta (Gate). Los tiristores se operan como conmutadores biestables, para muchas aplicaciones se puede suponer que los tiristores son interruptores o conmutadores ideales, aunque los tiristores prácticosexhiben ciertas características y limitaciones. Los tiristores son fabricados por difusión [2].
Ilustración 1.
3. Desarrollo experimental y Resultados
1 SCR C106MG ON semiconductor
1 Potenciómetro de 100KΩ
1 Resistencia de 2KΩ ½ W
4 Resistencias de 100kΩ ½ W
1 Resistencia de 220Ω ½ W
1 LED
1 Fuente de alimentación variable de 12 VCD
1 Micro amperímetro
1 Protoboard
Cables UTPIlustración 2. Materiales
La práctica consistió en la medición de los parámetros del tiristor SCR C106MG ON: corriente de disparo por compuerta (), corriente de mantenimiento (IH) y la corriente de enganche () con la alimentación de una fuente de voltaje con 6V.
Como primero se montó el circuito de la ilustración 4, para hallar la corriente de disparo por compuerta, a través de la variación delpotenciómetro descendiendo desde 100KΩ hasta llegar a un punto en que el SCR empieza un estado de conducción, gracias a la corriente =10,5µA. Lo cual se evidencia cuando el LED está encendido.
Ilustración 3.Medición corriente de disparo por compuerta
Ilustración 4. Circuito para hallar corriente de disparo de compuerta
De segundo se monta el próximo circuito para medir IH e , correspondientes a IH =263 µA, = 273 µA, respectivamente. Para obtener el valor de IH se coloca el potenciómetro en el mínimo valor igual a 100kΩ, se sitúa un amperímetro en el terminal del ánodo del SCR y se realiza un pulso, para después variar decrecientemente el potenciómetro hasta que el amperímetro empiece a mostrar valores de corriente y tomar el valor que se lea antes de que el SCR entre a estado de Bloqueo....
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