Informes

UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA DE PANAMÁ
CENTRO REGIONAL DE AZUERO
FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA
LICENCIATURA EN INGENIERÍA ELECTRONICA Y TELECOMUNICACIONES
CIRCUITOS ELECTRONICOS II
INFORME DE LABORATORIO # 1

FACILITADOR:
Ing. Francisco Canto

GRUPO:
A

INTEGRANTES:

GÁLVEZ, OVIDIO 6-715-1595
KAA, KARLA 6-716-1188
SAMANIEGO, KATHERINE 6-715-1392

REALIZADO EL 14 DE AGOSTO DE2012.
ENTREGADO EL 3 DE NOVIEMBRE DE 2012.

SEGUNDO SEMESTRE

INTRODUCCION

En el informe que a continuación se detalla, se hablará sobre los transistores JFET’S. El transistor de efecto de campo (FET = Field-Effect Transistor) es un dispositivo de tres terminales que se emplea para una amplia variedad de aplicaciones que coinciden, en gran parte, con aquellas correspondientes al transistorBJT.
La diferencia principal entre las-dos clases de transistores es el hecho de que el transistor BJT es un dispositivo controlado por corriente, mientras que el transistor JFET es un dispositivo controlado por voltaje. En otras palabras, la corriente Ic la es una función directa del nivel de IB. Para el FET la corriente ID ser  una función del voltaje VGS aplicado a la entrada del circuito, encada caso la corriente de la salida del circuito se controla por un par metro del circuito de entrada, en un caso un nivel de corriente y en otro un voltaje aplicado.
Así como hay transistores bipolares NPN y PNP, existen transistores de efecto de campo de canal-n y canal-p. Sin embargo, es importante tener en cuenta que el transistor BJT es un dispositivo bipolar (el prefijo bi- revela que elnivel de conducción es una función de dos portadores de carga, electrones y huecos). El FET es un dispositivo unipolar que depende únicamente ya sea de la conducción por electrones (canal-n) o por los huecos (canal-p).

MARCO TEORICO

El JFET fue predicho por Julius Lilienfeld en 1925 y en la década de 1930 su teoría de la operación era suficientemente conocida para justificar una patente. Sinembargo, no fue posible durante muchos años para hacer cristales dopados con suficiente precisión como para mostrar el efecto. En 1947, los investigadores John Bardeen, Walter Houser Brattain y William Shockley estaba tratando de hacer un JFET cuando descubrieron el transistor de contacto puntual. Los JFET prácticos se hicieron los primeros años después, a pesar de su concepción mucho antes de launión del transistor. Hasta cierto punto se puede tratar como un híbrido de un MOSFET y un BJT aunque un IGBT se asemeja más de las características híbridas.
La puerta de unión de efecto de campo transistor (JFET o JUGFET) es el tipo más simple de transistor de efecto de campo. Se puede utilizar como un electrónicamente controlado por interruptor o como un voltaje controlado por la resistencia.Carga eléctrica fluye a través de un canal semiconductor entre "fuente" y terminales de "drenaje". Mediante la aplicación de una polarización de voltaje a una "puerta" terminal, el canal es "apretar", de modo que la corriente eléctrica se ve impedida o totalmente apagado.
El JFET es un largo canal de semiconductor material, dopados para contener una abundancia de positivos de carga portadores oagujeros (tipo p), o de los portadores negativos o electrones (tipo n). Contactos óhmicos en cada forma final de la fuente (S) y de drenaje (D). Una unión pn se forma en uno o ambos lados del canal, o que la rodea, utilizando una región con dopaje opuesta a la de la canal, y sesgado mediante un contacto óhmico puerta (G).
Operación JFET es como la de una manguera de jardín. El flujo de agua através de una manguera se puede controlar apretándolo para reducir la sección transversal, el flujo de carga eléctrica a través de un JFET es controlado mediante la construcción del canal de conducción de corriente. La corriente también depende del campo eléctrico entre la fuente y el drenaje (análoga a la diferencia en la presión en cualquiera de los extremos de la manguera).
Construcción del canal...