ingeneria

principales analogías y diferencias existentes entre los transistores FET y los BJT.
En primer lugar, la principal diferencia entre ambos radica en el hecho de que el
transistor BJT es undispositivo controlado por corriente, mientras que los transistores FET
son dispositivos controlados por tensión. En ambos casos, la corriente del circuito de
salida es controlada por un parámetro delcircuito de entrada, en un caso el nivel de
corriente y en el otro el nivel de tensión aplicada.
En los transistores FET se crea un campo eléctrico que controla la anchura del
camino deconducción del circuito de salida sin que exista contacto directo entre la
magnitud controlada (corriente) y la magnitud controladora (tensión).
De forma análoga a como en los transistores bipolaresexisten dos tipos npn y pnp,
en los transistores de efecto de campo se habla de transistores FETs de canal n y de
canal p.
Una diferencia importante entre ambos tipos de transistores consiste en quemientras que los transistores BJT son bipolares, es decir, en la corriente intervienen los dos
tipos de portadores (electrones y huecos), los transistores FET son unipolares, en los que elnivel de conducción dependerá únicamente de un único tipo de portadores: de los
electrones en los de canal n y de los huecos en los de canal p.
Una de las características más importantes de los FETses su alta impedancia de
entrada con niveles que pueden varias desde uno hasta varios cientos de megaóhmios, muy Tema 7. Transistores de Efecto de Campo
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superiores a la que presentan lostransistores bipolares que presentan impedancias de
entrada del orden de unos pocos kiloóhmios. Esto proporciona a los FET una posición de
ventaja a la hora de ser utilizados en circuitosamplificadores.
Sin embargo, el transistor BJT presenta mayor sensibilidad a los cambios en la
señal aplicada, es decir, la variación de la corriente de salida es mayor en los BJT que en
los FET para...