Ingenieria economica

“UNIVERSIDAD TÉCNICA DEL NORTE”
FICA
CISIC
Nombres: Hernández Cintia, Quilca Jhonatan, Ruano María de los Ángeles, Yandún
Mauricio
Curso: Tercer Semestre “A”
Fecha: 03/12/2013
Asignatura:Electrónica
EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO
Transistor de efecto de campo (FET) son dispositivos semiconductores donde el control
de la corriente se realiza mediante un campo eléctrico
Durante sufuncionamiento la señal de entrada crea un campo eléctrico que controla el
paso de la corriente a travez del dispositivo.
Con los transistores bipolares observábamos como una pequeña corriente en labase de
los mismos se controlaba una corriente de colector mayor. Los Transistores de Efecto de
Campo son dispositivos en los que la corriente se controla mediante tensión. Cuando
funcionan comoamplificador suministran una corriente de salida que es proporcional a
la tensión aplicada a la entrada. Características generales:
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Por el terminal de control no se absorbe corriente.
Unaseñal muy débil puede controlar el componente
La tensión de control se emplea para crear un campo eléctrico

Se empezaron a construir en la década de los 60. Existen dos tipos de transistores deefecto de campo los JFET (transistor de efecto de campo de unión) y los MOSFET. Los
transistores MOS respecto de los bipolares ocupan menos espacio por lo que su aplicación
más frecuente la encontramosen los circuitos integrados.
Es un componente de tres terminales que se denominan: Puerta (G, Gate), Fuente (S,
Source), y Drenaje (D, Drain). Según su construcción pueden ser de canal P o de canalN. Sus símbolos son los siguientes:

Símbolo de un FET de canal N
Símbolo de un FET de canal P
Los terminales de este tipo de transistor se llaman Drenador (drain), Fuente (source) y el
tercerterminal es la compuerta (gate) que ya se conoce.
La región que existe entre el drenador y la fuente y que es el camino obligado de los
electrones se llama "canal". La corriente circula de Drenaje...