Ingenieria

El transistor está fuertemente polarizado (6 V en la base), por lo cual tiene una corriente de reposo limitada por la resonancia de emisor. Si introducimos una señal alterna de RF en la base, latensión en la misma variará de +2 a -2 V si la señal de RF es de 4 V, y la intensidad del colector pasará por ejemplo de 100 mA a 400 mA reproduciendo la señal de entrada, aunque amplificada. Cuando setrata de pasar de unos pocos mili vatios a fracciones de vatio, debe trabajarse así, limitándose la intensidad de corriente por resistencias en el emisor al objeto de que la intensidad no sea excesivaen los transistores y no pueda destruirlos por exceso de calor.
Si se desea conseguir una potencia de varios vatios no es posible trabajar en clase A, puesto que la intensidad de reposo podríaelevarse varios amperios, lo que supondría una inútil pérdida de potencia en calor. Para el paso final y el excitador se acostumbra a utilizar un amplificador en clase B con una cierta polarización.
Eltransistor está fuertemente polarizado (6 V en la base), por lo cual tiene una corriente de reposo limitada por la resonancia de emisor. Si introducimos una señal alterna de RF en la base, la tensión enla misma variará de +2 a -2 V si la señal de RF es de 4 V, y la intensidad del colector pasará por ejemplo de 100 mA a 400 mA reproduciendo la señal de entrada, aunque amplificada. Cuando se trata depasar de unos pocos mili vatios a fracciones de vatio, debe trabajarse así, limitándose la intensidad de corriente por resistencias en el emisor al objeto de que la intensidad no sea excesiva en lostransistores y no pueda destruirlos por exceso de calor.
Si se desea conseguir una potencia de varios vatios no es posible trabajar en clase A, puesto que la intensidad de reposo podría elevarsevarios amperios, lo que supondría una inútil pérdida de potencia en calor. Para el paso final y el excitador se acostumbra a utilizar un amplificador en clase B con una cierta polarización.
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