ingenieria








PRIMER PERIODO DEL 2014
1. El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término "transistor" es la contracción en inglés de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente se los encuentra prácticamente en todos los enseres domésticos de uso diario: radios, televisores,grabadores, reproductores de audio y vídeo, hornos de microondas, lavarropas automáticos, automóviles, equipos de refrigeración, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lámparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomógrafos, ecógrafos, reproductores mp3, celulares, etc. 

Sustituto de la válvula termoiónica de tres electrodos o triodo, el transistor bipolar fue inventadoen los Laboratorios Bell de EEUU en diciembre de 1947 por John Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley, quienes fueron galardonados con el Premio Nobel de Física en 1956. 
El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes drogadas artificialmente que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y latercera, que está intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A diferencia de las válvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En el diseño de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo, a diferencia de los resistores, capacitores e inductores que son elementos pasivos. Sufuncionamiento sólo puede explicarse mediante mecánica cuántica. 

De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" es función amplificada de la que se inyecta en el "emisor", pero el transistor sólo gradúa la corriente que circula a través de sí mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", según el tipo decircuito que se utilice. El factor de amplificación logrado entre corriente de base y corriente de colector, se denomina Beta del transistor. Otros parámetros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de transistor son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base, Potencia Máxima, disipación de calor, frecuencia de trabajo, y varias tablas donde se graficanlos distintos parámetros tales como corriente de base, tensión Colector Emisor, tensión Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Los tres tipos de esquemas básicos para utilización analógica de los transistores son emisor común, colector común y base común

2. Montaje EMISOR COMÚN:
En este montaje la señal que se desea amplificar se aplica entre base y emisor obteniéndose la señal amplificadaentre emisor y colector. Entonces el emisor es el electrodo por el que circula tanto la señal de entrada como la de salida, de ahí el nombre de “emisor común”. Para el estudio de estos montajes usaremos dos fuentes de polarización, una de mayor tensión para la polarización de salida (en este caso colector-emisor), y otra de menor tensión para la polarización de la entrada, es decir de la base conrespecto al emisor. Éste es el montaje que proporciona mayor ganancia de amplificación de corriente, y de hecho es el más utilizado.

Montaje BASE COMÚN:
Es el montaje menos usado debido a que no aporta ganancia de corriente (HFE < 1). Sin embargo sí amplifica tensión debido a que la impedancia de salida es mucho mayor que la de entrada. En este montaje  la corriente de entrada es la IE y la desalida la Ic, y como Ic = IE - IB la corriente de salida será menor que la de entrada.
Cuando Ve proporcione semiciclos positivos VEB aumentará en función de los valores de dichos Semiciclos y con ello aumentarán VCE y VR ya que: VCE = Vcc + VEB + Ve - VR
Entonces en este caso no hay inversión de fase ya que en caso de que disminuya VEB por una disminución de Ve, también disminuirá VCE. La...