Ingenieria

Tipos de transistores
BJT J
PNP NPN Canal P Canal N Canal N Acumulación Deplexión Canal P Canal N Canal N Canal P Canal N Canal N

JFET

FET

MESFET MOSFETBJT:Transistores bipolares de unión. FET: Transistores de efecto de campo. JFET: Transistores de efecto de campo de unión. MESFET: Transistores de efecto de campo de metal semiconductor.MOSFET: Transistores de efecto de campo de metal‐oxido‐semiconductor.
ATE‐UO Trans 01

Características comunes a todos los  transistores (I) transistores (I)
•Son dispositivos (típicamente) de  3 terminales.•Dos de los tres terminales actúan como  terminales de entrada (control).

•Dos de los tres terminales actúan como  terminales de salida. Un terminal es común a  entrada y salida.

ie
+

is
+

Ve

‐
Cuadripolo

‐

Vs

Entrada

SalidaATE‐UO Trans 02

Características comunes a todos los  transistores (II) transistores (II)
ie
•La potencia consumida en la entrada es  p menor que la controlada en la salida. +

is
+

Ve‐
Cuadripolo

‐

Vs

Entrada

Salida

•La tensión entre los terminales de entrada determina el comportamiento eléctrico de  la salida. •La salida se comporta como:•Fuente de corriente controlada (zona lineal o activa). •Corto circuito (saturación). •Circuito abierto (corte).

ATE‐UO Trans 03

Características comunes a todos los  ( ) transistores (III)
is Zona Activa
+ +

‐ Zona de Saturación

Vs is

= = =

is ‐ is Vs=0 0

Vs

+

‐

Vs is

is=0 0
+

Zona de  Corte

+

‐

Vs

‐

Vs
ATE‐UO Trans 04

Transistores bipolares de unión (I)Transistor PNP: t T i t PNP terminal P, terminal N y terminal P i lP t i lN t i lP Transistor NPN:terminal N, terminal P y terminal N Colector (P) Base (N) Base (P) Emisor E i (P) Colector (N)

PNP

NPNEmisor ( ) (N)

•El emisor debe estar mucho más dopado que la base. •La base debe ser mucho más pequeña que la longitud de  difusión de los mayoritarios del emisor....