Ingeniero Eléctrico

A JOURNAL DE LOS ARCHIVOS DE LA CLASE LTEX VOL. 6, NO. 1, ENERO 2007

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Art´culo IEEE ı T´tulo del art´culo ı ı
Nombre1 Apellido1, Member, IEEE, Nombre2 Apellido2, Fellow, OSA, y Nombre3Apellido3, Life Fellow, IEEE

Resumen—Texto del resumen.
A Palabras Clave—IEEEtran, journal, LTEX, paper, art´culo, ı plantilla.

´ I. I NTRODUCCI ON STA plantilla tiene la intenci´ n deservir como un o “archivo de inicio” de papers en espa˜ ol para IEEE n A journals producidos con LTEX usando IEEEtran.cls versi´ n o 1.7 y posteriores. IEEE. 11 de enero de 2007

E

Fig. 1.Logo IEEE

´ IV. C ONCLUSI ON Texto de la conclusi´ n. o ´ A P E NDICE A ´ P RUEBA DE LA E CUACI ON DE E ULER Texto del ap´ ndice uno. e ´ A P E NDICE B Texto del ap´ ndice dos. e AGRADECIMIENTOLos autores quieren agradecer a . . .

A. Encabezado de subsecci´ n o Texto de la subsecci´ n. o 1) Encabezado de subsubsecci´ n: Texto de la subsubo secci´ n. o ´ II. M ARCO T E ORICO A.MOSFET Marco te´ rico, bla bla bla bla bla bla bla bla bla bla bla bla o bla bla bla bla bla bla . . . 1 W k (VGS − Vt )2 (1) 2 nL En ?? Vt es el voltaje threshold. Ecuaci´ n de acuerdo a [?]. o ID =B. Encabezado de subsecci´ n o A Texto de la subsecci´ n. Ejemplo cita LTEX[?]. o C. Encabezado de subsecci´ n o Texto de la subsecci´ n. o ´ III. A N ALISIS DE R ESULTADOS Ejemplo tabla.
TABLAI ´ VOLTAJES DE POLARIZACI ON MOSFET Source Voltaje [V] 3 Gate 5.02 Drain 5.69

Nombre1 Apellido1 Texto de la biograf´a aqu´. ı ı

PLACE PHOTO HERE

Nombre2 Apellido2 Texto de la biograf´aaqu´. ı ı

En la tabla ??. Ejemplo figura. En la Fig. ??.
N1. Apellido1 es profesor del Departmento de Ingenier´a El´ ctrica, Uniı e versidad NNN, Bogot´ , Colombia (e-mail:n1.apellido1@uninnn.edu.co). a N2. Apellido2 y N3. Apellido3 son profesores de la Universidad. Manuscrito recibido Abril 19, 2005; revisado Enero 11, 2007. Nombre3 Apellido3 Texto de la biograf´a aqu´. ı ı...