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Lectura/Escritura de FLASH/EEPROM
Ambos tipos de memorias pueden ser leídas o escritas durante el funcionamiento normal del micro controlador y en todo el margen de tensiones de alimentación. Lamemoria de datos EEPROM no se encuentra en el mapa de memoria de los registros de RAM sino que se direcciona de manera indirecta mediante ciertos registros de funciones especiales:

• EECON1
• EECON2• EEDATA
• EEDATH
• EEADR
• EEADRH

La memoria EEPROM de datos puede ser de hasta 256 bytes y se direcciona mediante el registro EEADR, los datos leídos/escritos se almacenan/sitúan en elregistro EEDATA. La memoria de programa puede tener un tamaño máximo de 8K x 14 bits, el direccionamiento se realiza con los registros EEADRH y EEADR (13 bits) y los datos se gestionan mediante losregistros EEDATH:EEDATA (14 bits).
La escritura de la EEPROM requiere de un tiempo que se controla mediante un temporizador interno que puede variar con la tensión o la temperatura.
Registros de controlEECON1 y EECON2
EECON1 es el registro que controla el acceso a la memoria EEPROM y FLASH. Se usan los siguientes bits de este registro para la configuración de la escritura y/o lectura.
• EEPGDdetermina si el acceso es a memoria EEPROM o FLASH.
• RD y WR inician el proceso de lectura y escritura respectivamente, se ponen a 1 por código pero vuelven a 0 automáticamente por hardware cuandofinaliza el proceso.
• WREN habilita las operaciones de escritura.
• WRERR se activa si se interrumpe una escritura por un reset de MCLR o WDT.
Se dispone además de una bandera (EEIF) en el registroPIR2, que se activa cuando se ha completado una escritura. Debe ponerse a 0 por código. Se puede generar una interrupción mediante un permiso particular (EEIE en PIE2) y los permisos generales PEIE y GIEen INTCON.
EECON2 no es un registro físico, se emplea únicamente en la secuencia de escritura de la memoria EEPROM para inicializar el proceso.
Lectura de la EEPROM
Se debe situar la dirección...