INGENIERO

Control de Motores Eléctricos
Roberto de la Re


•Son semiconductores de potencia que al igual que los SCR se pueden
encender aplicando una señal positiva a la compuerta.

•Puede abrirse conuna señal negativa de compuerta.

•Se enciende aplicando un pulso positivo corto, y se apaga con un pulso
negativo corto a su compuerta.

VS

1. Eliminación de componentes de conmutación(reducción de
costo, peso y volumen)
2. Reducción de ruido acústico y electromagnético, por la
eliminación de reactores de conmutación.
3. Apagado más rápido que permite altas frecuencias deconmutación
4. Mejor eficiencia de convertidores.

• Interconexión de capas de
control (más delgada) y
catódicas, minimizando
distancia entre puerta y
centro de regiones catódicas
y aumentando elperímetro
de las regiones de puerta.

GTO

SCR

• Ataque químico para
acercar el contacto de puerta
al centro de las
regiones catódicas.
• Regiones n+ que
cortocircuitan regiones
anódicas:
•Acelerar el
apagado
• Tensión inversa de
ruptura muy baja

• Al alimentarlo por corriente entrante de puerta, tenemos exactamente el
mismo proceso que en el SCR normal.
•Para bloquearlo, seránecesario sacar los transistores de saturación
aplicando una corriente de puerta negativa

• Para conseguir cortar el GTO, con una corriente soportable por la
puerta, debe ser

lo mayorposible, para ello

debe ser: α2 ≈1 (lo mayor posible) y α1 ≈0 (lo menor posible).
• α2 ≈1 implica que la base de T2 (capa de control) sea estrecha y
poco dopada y que su emisor (capa catódica) esté muydopado.
Estas condiciones son las normales en los SCR.
• α1 ≈0 implica que la base de T1 (capa de bloqueo) sea ancha y
tenga una vida media de los huecos muy corta.

• Para conseguir una buenaganancia βoff será necesario asumir
unas pérdidas en conducción algo mayores.
• Los cortocircuitos anódicos evitan estas pérdidas extras, al quitar
corriente de base a T1 disminuyendo su...