Ingeniero
Páginas: 3 (725 palabras)
Publicado: 16 de agosto de 2012
Efecto hall y Ley de Biot y Salvarte
Luis ángel cabrera pacheco
Lic: Lorena cabás
Corporación Universitaria latinoamericana CUL
1 semestre mantenimiento electrónico industrial
2011Efecto hall
El efecto Hall consiste en que en un metal o semiconductor con corriente, situado en un campo magnético perpendicular al vector densidad de corriente, surge un campo eléctricotransversal y un diferencia de potencial.
La causa del efecto Hall es la desviación que experimentan los electrones que se mueven en el campo magnético bajo la acción de la fuerza de Lorentz.
. Las siguientes figuras muestran las direcciones del campo magnético B, de la densidad de corriente J, la fuerza de Lorentz F, la velocidad de las cargas V (según sean estas positivas o negativas), asícomo los signos de las cargas concentradas en las caras opuestas superior e inferior para cada tipo de carga (negativa y positiva).
La figura 1a) es válida para metales y semiconductores tipo n;para semiconductores tipo p, los signos de las cargas que se concentran en las superficies son opuestos
Las cargas siguen siendo desviadas por el campo magnético hasta que la acción de lafuerza en el campo eléctrico transversal equilibre la fuerza de Lorentz.
Efecto Hall es la medición del voltaje transversal en un conductor cuando es puesto en un campo magnético. Mediante estamedición es posible determinar el tipo, concentración y movilidad de portadores en silicio.
El electromagnetismo enseña que un campo electromagnético variable en el tiempo sólo penetra en un conductorhasta una profundidad del orden del espesor pelicular. El Efecto Hall permite la penetración de un campo magnético rotante y la generación de corriente.
Este método está siendo utilizado paraproducir corriente necesaria en experimentos de fusión nuclear por confinamiento magnético.
El científico alemán Klaus von Klitzing obtuvo, en 1985, el Premio Nobel de Física por el descubrimiento...
Luis ángel cabrera pacheco
Lic: Lorena cabás
Corporación Universitaria latinoamericana CUL
1 semestre mantenimiento electrónico industrial
2011Efecto hall
El efecto Hall consiste en que en un metal o semiconductor con corriente, situado en un campo magnético perpendicular al vector densidad de corriente, surge un campo eléctricotransversal y un diferencia de potencial.
La causa del efecto Hall es la desviación que experimentan los electrones que se mueven en el campo magnético bajo la acción de la fuerza de Lorentz.
. Las siguientes figuras muestran las direcciones del campo magnético B, de la densidad de corriente J, la fuerza de Lorentz F, la velocidad de las cargas V (según sean estas positivas o negativas), asícomo los signos de las cargas concentradas en las caras opuestas superior e inferior para cada tipo de carga (negativa y positiva).
La figura 1a) es válida para metales y semiconductores tipo n;para semiconductores tipo p, los signos de las cargas que se concentran en las superficies son opuestos
Las cargas siguen siendo desviadas por el campo magnético hasta que la acción de lafuerza en el campo eléctrico transversal equilibre la fuerza de Lorentz.
Efecto Hall es la medición del voltaje transversal en un conductor cuando es puesto en un campo magnético. Mediante estamedición es posible determinar el tipo, concentración y movilidad de portadores en silicio.
El electromagnetismo enseña que un campo electromagnético variable en el tiempo sólo penetra en un conductorhasta una profundidad del orden del espesor pelicular. El Efecto Hall permite la penetración de un campo magnético rotante y la generación de corriente.
Este método está siendo utilizado paraproducir corriente necesaria en experimentos de fusión nuclear por confinamiento magnético.
El científico alemán Klaus von Klitzing obtuvo, en 1985, el Premio Nobel de Física por el descubrimiento...
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