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FACULTAD : ING. ELECTRÓNICA, ELÉCTRICA Y TELECOMUNICACIONES
CURSO : LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELÉCTRÓNICOS
TEMA : TRABAJO DE INFORMES
PROFESOR : LUIS PONCE MARTÍNEZ
ALUMNOS CÓDIGO

LUCY GARCÍA CHAPARIN 13190055
JHAMER ERQUIÑO VILLANEDA13190086
BENDEZU ROMERO KEVIN ALBERTH 12190141



CONTENIDO:

INFORME N°1:
RECTIFICADORES Y FILTROS……………………………………………………………………………………………3
INFORME N°2:
TRANSISTOR BJT……………………………………………………………………………………………………………10
INFORME N°3:
DIODO ZENER……………………………………………………………………………………………………………….24
INFORME N°4;DIAC………………………………………………………………………………………………………………………………25
INFORME N°5:
TRANSISTOR UJT……………………………………………………………………………………………………………32
INFORME N°6:
LED……………………………………………………………………………………………………………………………….36
INFORME N°7:
TRANSISTOR PUT………………………………………………………………………………………………………….39
INFORME N°8:
TIRISTOR………………………………………………………………………………………………………………………42
INFORME N°9:TRIAC…………………………………………………………………………………………………………………………….48
INFORME N°10:
TRANSISTOR FET…………………………………………………………………………………………………………..53




INFORME N°1:
“RECTIFICADORES Y FILTROS”

I. OBJETIVOS

Utilizar características de operación de los diodos semiconductores.

II. MATERIALES Y EQUIPO
Osciloscopio
Multímetro (Digital)
Transformador 12v
Bobina de choque
Miliamperímetro c.c.
Cables conectores y coaxiales
R: 100,1K, 10K ohm
C: 100, 470, 1000 y 2200 Uf
Diodos: 4 x 1N4004
Manual ECG semiconductores

III.FUNDAMENTO TEORICO
Un diodo es un elemento de dos terminales cuya característica tensión-corriente no es lineal. Está formado por un cristal semiconductor dopado de tal manera que una mitad es tipo "p" y la otra "n", constituyendo una unión “p - n”. La terminal que corresponde con la parte "p" se llama ánodo y el que coincide con la "n" es el cátodo. Este diodo está compuesto por un cristal desilicio o de germanio dopado, es decir, al que se le han incluido impurezas. El dopado del silicio (o del germanio) se realiza para variar sus propiedades de semiconductor.
El diodo deja circular corriente a través suyo cuando se conecta el polo positivo de la batería al ánodo, y el negativo al cátodo, y se opone al paso de la misma si se realiza la conexión opuesta. Esta interesante propiedadpuede utilizarse para realizar la conversión de corriente alterna en continua, a este procedimiento se le denomina rectificación.
En resumen, son aplicables las condiciones que se describen en la figura 1.2.





El diodo semiconductor está constituido fundamentalmente por una unión P-N, añadiéndole un terminal de conexión a cada uno de los contactos metálicos de sus extremos y una cápsula quealoja todo el conjunto, dejando al exterior los terminales que corresponden al ánodo (zona P) y al cátodo (Zona N)




PRUEBA ESTÁTICA PARA UN DIODO SEMICONDUCTOR
La resistencia del diodo en polarización directa debe ser muy baja comprada con el nivel de polarización inversa. Mientras más alta sea la corriente, menor será el nivel de resistencia. Para la situación de polarización inversa lalectura debe ser bastante alta.

NOTA:
Una alta lectura en la resistencia en ambas direcciones indica con claridad una condición abierta (dispositivo defectuoso), mientras que una lectura muy baja de la resistencia en ambas direcciones quizá indique un dispositivo en corto.


REGIÓN ZENER

Existe un punto en el cual la aplicación de un voltaje demasiado negativo dará por resultado unagudo cambio en las características, como lo muestra la figura 1.22. La corriente se incrementa a una velocidad muy rápida en una dirección opuesta a aquella de la región de voltaje positivo.

El potencial de polarización inversa que da como resultado este cambio muy drástico de las características se le llama...