Introducción a transistores de efecto de campo
Páginas: 13 (3134 palabras)
Publicado: 29 de mayo de 2013
Introducción a transistores de efecto de campo
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El transistor es un dispositivo que ha originado una evolución en el campo electrónico.
En esta investigación se introducen las principales características básicas del transistor de efecto de campo (FET) y se estudian los modelos básicos de este dispositivo y su utilización en el análisis los circuitos de polarización.
Antes deintroducirse en el contenido de este trabajo se hará una breve reseña sobre el transistor de efecto de campo FET.
El transistor de efecto de campo fue patentado por Julius Edgar Lilienfeld en 1925 y por Oskar Heil.El equipo detrás de estos experimentos fue galardonado con el Premio Nobel de Física. Desde 1953 se propuso su fabricación por Van Nostrand. Aunque su fabricación no fue posible hastamediados de los años 80's.
El canal de un FET es dopado para producir tanto un semiconductor tipo N o uno tipo P. El drenador y la fuente deben estar dopados de manera contraria al canal en el caso de FETs de modo mejorado, o dopados de manera similar al canal en el caso de FETs en modo agotamiento.
Los transistores de efecto de campo también son distinguidos por el método de aislamiento entre elcanal y la puerta.
Luego de esta breve introducción a los transistores de efecto de campo, le presento a continuación el resultado escrito de mi investigación sobre el tema.
Transistor de efecto de campo
El transistor de efecto de campo (FET) es un dispositivo de tres terminales que se utilizan en varias aplicaciones que coinciden en gran medida con las del transistor BJT.
Hay grandesdiferencias entre estos 2 dispositivos, la principal es que:
El transistor BJT es un dispositivo controlado por corriente, mientras que el transistor FET es controlado por corriente.
Los transistores de efecto de campo o FET son particularmente interesantes en circuitos integrados y pueden ser de dos tipos: transistor de efecto de campo de unión o JFET y transistor de efecto de campo metal-oxidosemiconductor (MOSFET).
En otras palabras estos dispositivos controlados por tensión con una alta impedancia de entrada (1012Ω).
Ambos dispositivos se utilizan en circuitos digitales y analógicos como amplificador o como conmutador. Sus características eléctricas son similares aunque su tecnología y estructura física son totalmente diferentes.
Así como los transistores bipolares NPN yPNP existen transistores de efecto de campo canal n y canal p; sin embargo hay que tener en cuenta que el transistor BJT es un dispositivo bipolar, el prefijo bi indica que el nivel de conducción es una función de los portadores de carga electrones y huecos.
El FET es un dispositivo unipolar que depende no solo de la conducción de electrones (canal n) como de la conducción de huecos (canal p)En general los FET son más estables a la temperatura que los BJT además de más pequeños lo cual los hace especialmente útiles en chips integrados.
Estructura y teoría de funcionamiento de JFET, D-MOSFET, E-MOSFET.
JFET
Dispositivos de canal n canal p
Este transistor es un dispositivo de tres terminales, con una terminal capaz de controlar la corriente entre las otras dos.
El JFET decanal n está constituido por una barra de silicio de material semiconductor de tipo n con dos regiones (islas) de material tipo p situadas a ambos lados. Es un elemento tri-terminal cuyos terminales se denominan drenador, fuente y puerta.
La construcción básica del JFET de canal n se muestra en la figura numero 1. Observe que la parte principal de la estructura es de material tipo n, el cualentre las capas incrustadas de material tipo p.
Figura
La parte superior del canal tipo n está conectada mediante un contacto óhmico conocido como drenaje (D), en tanto que el extremo inferior está conectado a una terminal conocida como fuente(S).
Los 2 terminales tipo p están conectados entre si a una terminal de compuerta (G), el drenaje y la fuente están conectados a los extremos...
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El transistor es un dispositivo que ha originado una evolución en el campo electrónico.
En esta investigación se introducen las principales características básicas del transistor de efecto de campo (FET) y se estudian los modelos básicos de este dispositivo y su utilización en el análisis los circuitos de polarización.
Antes deintroducirse en el contenido de este trabajo se hará una breve reseña sobre el transistor de efecto de campo FET.
El transistor de efecto de campo fue patentado por Julius Edgar Lilienfeld en 1925 y por Oskar Heil.El equipo detrás de estos experimentos fue galardonado con el Premio Nobel de Física. Desde 1953 se propuso su fabricación por Van Nostrand. Aunque su fabricación no fue posible hastamediados de los años 80's.
El canal de un FET es dopado para producir tanto un semiconductor tipo N o uno tipo P. El drenador y la fuente deben estar dopados de manera contraria al canal en el caso de FETs de modo mejorado, o dopados de manera similar al canal en el caso de FETs en modo agotamiento.
Los transistores de efecto de campo también son distinguidos por el método de aislamiento entre elcanal y la puerta.
Luego de esta breve introducción a los transistores de efecto de campo, le presento a continuación el resultado escrito de mi investigación sobre el tema.
Transistor de efecto de campo
El transistor de efecto de campo (FET) es un dispositivo de tres terminales que se utilizan en varias aplicaciones que coinciden en gran medida con las del transistor BJT.
Hay grandesdiferencias entre estos 2 dispositivos, la principal es que:
El transistor BJT es un dispositivo controlado por corriente, mientras que el transistor FET es controlado por corriente.
Los transistores de efecto de campo o FET son particularmente interesantes en circuitos integrados y pueden ser de dos tipos: transistor de efecto de campo de unión o JFET y transistor de efecto de campo metal-oxidosemiconductor (MOSFET).
En otras palabras estos dispositivos controlados por tensión con una alta impedancia de entrada (1012Ω).
Ambos dispositivos se utilizan en circuitos digitales y analógicos como amplificador o como conmutador. Sus características eléctricas son similares aunque su tecnología y estructura física son totalmente diferentes.
Así como los transistores bipolares NPN yPNP existen transistores de efecto de campo canal n y canal p; sin embargo hay que tener en cuenta que el transistor BJT es un dispositivo bipolar, el prefijo bi indica que el nivel de conducción es una función de los portadores de carga electrones y huecos.
El FET es un dispositivo unipolar que depende no solo de la conducción de electrones (canal n) como de la conducción de huecos (canal p)En general los FET son más estables a la temperatura que los BJT además de más pequeños lo cual los hace especialmente útiles en chips integrados.
Estructura y teoría de funcionamiento de JFET, D-MOSFET, E-MOSFET.
JFET
Dispositivos de canal n canal p
Este transistor es un dispositivo de tres terminales, con una terminal capaz de controlar la corriente entre las otras dos.
El JFET decanal n está constituido por una barra de silicio de material semiconductor de tipo n con dos regiones (islas) de material tipo p situadas a ambos lados. Es un elemento tri-terminal cuyos terminales se denominan drenador, fuente y puerta.
La construcción básica del JFET de canal n se muestra en la figura numero 1. Observe que la parte principal de la estructura es de material tipo n, el cualentre las capas incrustadas de material tipo p.
Figura
La parte superior del canal tipo n está conectada mediante un contacto óhmico conocido como drenaje (D), en tanto que el extremo inferior está conectado a una terminal conocida como fuente(S).
Los 2 terminales tipo p están conectados entre si a una terminal de compuerta (G), el drenaje y la fuente están conectados a los extremos...
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