Invesitigacion

SENSORES Y DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS

El INAOE cuenta con más de 30 años de experiencia en el diseño, fabricación, caracterización y optimización de sensores y dispositivos electrónicos paraaplicaciones específicas al área de microelectrónica. Con el Laboratorio de Microelectrónica, se han generado recursos humanos capaces de proveer de estas soluciones tecnológicas que involucran áreasmultidisciplinarias como Astrofísica, Óptica, Medicina, Robótica, CAD, Química, etc. Con la infraestructura presente actualmente en LNN, se podrá hacer uso de una tecnología de fabricación de sensores ydispositivos electrónicos más adecuada para la escala nanométrica con las ventajas inherentes de mayor densidad de integración, mayor capacidad de cómputo, mayor velocidad de respuesta, menor consumo depotencia, y principalmente, mayor capacidad de controlar las propiedades físicas de los materiales empleados a escalas más pequeñas. Algunos de los desarrollos principales dentro del grupo deMicroelectrónica tienen relación con sensores de estado sólido basados en silicio (detectores y emisores) así como con los materiales y dispositivos electrónicos fabricados en base a la tecnología CMOS, éstosse presentan a continuación:

SENSORES DE ESTADO SÓLIDO
Emisores y detectores de radiación IR utilizando materiales nanoestructurados y estructuras de bolómetros
Emisores y detectores de radiaciónóptica de 700nm–400nm utilizando materiales dieléctricos y estructuras de capacitores
Emisores y detectores de radiación UV utilizando tecnología basada en silicio para detección hasta 200nm
Sensores depresión y de aceleración basados en estructuras MEMS
Sensores de flujo de masa utilizando estructuras resistivas tipo Kelvin basadas en Pt
Sensores de radiación térmica utilizando estructuras detransistor basadas en silicio
Sensores químicos de estado sólido utilizando estructuras tipo ISFET
Sensores para la detección de gases basados en materiales catalizadores
Sensores de campos magnéticos en...