investigacion

INDICE

Portada………………………………………………..1

Índice………………………………………………….2

Introducción…………………………………………..3

Contenidos……………………………………………4

Conclusiones………………………………………..14

INTRODUCCION


CONTENIDOS
MANEJO DE CIRCUITOS BASADOS EN DIODOS, APLICADOS SISTEMAS ELECTRONICOS
A) manejo de diodos

materiales semiconductores: Los semiconductores son materiales cuya conductancia eléctrica puedeser controlada de forma permanente o dinámica variando su estado desde conductor a aislante.
Semiconductores con elementos de los grupos III y V
Antimoniuro de aluminio (AlSb)
Arseniuro de aluminio (AlAs)
Nitruro de aluminio (AlN)
Fosfuro de aluminio (AlP)
Nitruro de boro (BN)
Fosfuro de boro (BP)
Arseniuro de boro (BAs)
Antimoniuro de galio (GaSb)
Arseniuro de galio (GaAs)
Nitruro degalio (GaN)
Fosfuro de galio (GaP)
Antimoniuro de indio (InSb)
Arseniuro de indio (InAs)
Nitruro de indio (InN)
Fosfuro de indio (InP)
Aleaciones triples con elementos de los grupos III y V
Arseniuro de galio-aluminio (AlGaAs, AlxGa1-xAs)
Arseniuro de galio-indio (InGaAs, InxGa1-xAs)
Fosfuro de galio-indio (InGaP)
Arseniuro de indio-aluminio (AlInAs)
Antimoniuro de indio-aluminio(AlInSb)
Nitruro de galio-arsenico (GaAsN)
Fosfuro de galio-arsenico (GaAsP)
Nitruro de galio-aluminio (AlGaN)
Aleaciones cuádruples con elementos de los grupos III y V
Fosfuro de aluminio-galio-indio (AlGaInP, o InAlGaP, InGaAlP, AlInGaP)
Fosfuro de aluminio-galio-arsénico (AlGaAsP)
Fosfuro de indio-galio-arsénico (InGaAsP)
Fosfuro de aluminio-indio-arsénico (AlInAsP)
Nitruro dealuminio-galio-arsénico (AlGaAsN)
Nitruro de indio-galio-arsénico (InGaAsN)
Semiconductores de los grupos II y VI
Seleniuro de cadmio (CdSe)
Sulfuro de cadmio (CdS)
Teluro de cadmio (CdTe)
Óxido de zinc (ZnO)
Seleniuro de zinc (ZnSe)
Sulfuro de zinc (ZnS)
Teluro de zinc (ZnTe)
Aleaciones triples con elementos de los grupos II y VI
Teluro de cadmio-zinc (CdZnTe, CZT)
Teluro de mercurio-cadmio(HgCdTe)
Teluro de mercurio-zinc (HgZnTe)
Semiconductores de los grupos IV y VI
Seleniuro de plomo (PbSe)
Sulfuro de plomo (PbS)
Teluro de plomo (PbTe)
Sulfuro de estaño (SnS)
Teluro de estaño (SnTe)
Aleaciones triples con elementos de los grupos IV y VI
Teluro de plomo-estaño (PbSnTe)
Teluro de talio-plomo (Tl2SnTe5)
Teluro de talio-germanio (Tl2GeTe5)
Semiconductores por capasYoduro de estaño II (SnI2)
Disulfuro de molibdeno (MoS2)
Seleniuro de galio (GaSe)
Sulfuro de estaño (SnS)
Sulfuro de bismuto (Bi2S3)

El diodo: Un diodo es un componente electrónico de dos terminales que permite la circulación de la corriente eléctrica a través de él en un solo sentido. Este término generalmente se usa para referirse al diodo semiconductor, el más común en la actualidad;consta de una pieza de cristal semiconductor conectada a dos terminales eléctricos.
Teoría y funcionamiento: De forma simplificada, la curva característica de un diodo (I-V) consta de dos regiones: por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un circuito cerrado con una resistencia eléctrica muy pequeña. Debido a estecomportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son dispositivos capaces de suprimir la parte negativa de cualquier señal, como paso inicial para convertir una corriente alterna en corriente continua. Su principio de funcionamiento está basado en los experimentos de Lee De Forest.
Los primeros diodos eran válvulas o tubos de vacío, también llamados válvulas termoiónicas constituidospor dos electrodos rodeados de vacío en un tubo de cristal con un aspecto similar al de las lámparas incandescentes. El invento fue desarrollado en 1904 por John Ambrose Fleming, empleado de la empresa Marconi, basándose en observaciones realizadas por Thomas Alva Edison.
Características: Tensión umbral, de codo o de partida (Vγ ).
La tensión umbral (también llamada barrera de potencial) de...