investigaciones

 01El transistor de unión bipolar (del inglés Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales

04Al estar la unión de emisor polarizada directamente, permite el paso de huecos (Ipe) del emisor a la base, así como deelectrones (Ine) que pasan de la base al emisor. La relación entre la corriente de huecos y la corriente de electrones es proporcional a las conductividades de los materiales P y N; en los transistores comerciales el dopado del emisor es mucho mayor, por lo que la corriente en un transistor p-n-p está practicamente constituida por huecos.La polarización de la unión de colector hace que los huecos queatraviesan la unión de emisor se vean atraídos por el potencial negativo del colector y a la vez repelidos por el potencial positivo de la base, no todos los huecos que cruzan la unión de emisor llegan a la de colector, ya que se produce la recombinación de algunos de ellos en la zona de la base.
05 Un transistor está saturado cuando:
corriente de colector ≈ corriente de emisor = corriente maxima,(Ic ≈ Ie = Imax)
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentación del circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ver Ley de Ohm. Se presenta cuando la diferencia de potencial entre el colector y el emisor desciende por debajo del valor umbral VCE,sat. Cuando el transistor esta el saturación, la relación lineal de amplificaciónIc=β·Ib (y por ende, la relación Ie=(β+1)·Ib ) no se cumple.
07. La ganancia de corriente emisor común está representada por o por hfe. Esto es aproximadamente la tasa de corriente continua de colector a la corriente continua de la base en la región activa directa y es típicamente mayor a 100.
08 El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en inglés) es en realidad una familia detransistores que se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor.
09El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas
10El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT, del inglés InsulatedGate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia.
13Un amplificador operacional (comúnmente abreviado A.O., op-amp u OPAM), es un circuito electrónico (normalmente se presenta como circuito integrado) que tiene dos entradas y una salida. La salida es la diferencia de las dos entradasmultiplicada por un factor (G) (ganancia):
Vout = G·(V+ − V−)el mas conocido y comunmente aplicado es el UA741 o LM741
14 es todo akel q puede ampliar algo como las ondas o la energia y amplia su longitud de señal
15Se llama así este montaje porque la señal de salida es inversa de la de entrada, en polaridad, aunque pude ser mayor, igual o menor, dependiendo esto de la ganancia que le demos alamplificador en lazo cerrado.
16Este circuito es muy parecido al inversor, la diferencia es que la señal se introduce por el terminal no inversor, lo cual va a significar que la señal de salida estará en fase con la señal de entrada y amplificada.El análisis matemático será igual que en el montaje inversor.
18El circuito sumador inversor permite sumar varias
señales de forma ponderada. Todas las señalesde
entrada aparecen invertidas en la salida.
19ste amplificador usa ambas entradas invertida y no invertida con una ganancia de uno, para producir una salida igual a la diferencia entre las entradas. Es un caso especial del amplificador diferencial. Se pueden elegir tambien las resistencias para amplificar la diferencia.
20Su tensión de salida es proporcional a la integral en el tiempo de...