jfet

El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en inglés) es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un "canal"en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial.
Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente(source). La puerta es la terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensión, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacerque fluya o no corriente entre drenador y fuente.
Así como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o FET son también de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo desi la aplicación de una tensión positiva en la puerta pone al transistor en estado de conducción o no conducción, respectivamente.

El JFET es un transistor de efecto de campo, es decir, sufuncionamiento se basa en las zonas de deplexión que rodean a cada zona P al ser polarizadas inversamente.
Cuando aumentamos la tensión en el diodo compuerta-fuente, las zonas de deplexión se hacen másgrandes, lo cual hace que la corriente que va de fuente a drenaje tenga más difucultades para atravesar el canal que se crea entre las zonas de deplexión, cuanto mayor es la tensión inversa en el diodocompuerta-fuente, menor es la corriente entre fuente y drenaje.
Por esto, el JFET es un dispositivo controlado por tensión y no por corriente. Casi todos los electrones que pasan a través del canalcreado entre las zonas de deplexión van al drenaje, por lo que la corriente de drenaje es igual a la corriente de fuente .




.-  Alta impedancia de entrada
2.-  Se logran altas escalas deintegración en circuitos integrados
3.- Se pueden utilizar como memorias digitales al almacenar en su capacitancia información en forma de voltaje
4.-  Se pueden utilizar como resistores controlados por...