jfet

eLab, Laboratorio Remoto de Electrónica
ITESM, Depto. de Ingeniería Eléctrica

PRÁCTICA PF1
CARACTERÍSTICAS DE VOLTAJE CONTRA CORRIENTE DE
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO
OBJETIVOS
Ø Conocer las curvas características de Voltaje contra Corriente de los Transistores de Efecto
de Campo (FETs),
Ø Identificar las zonas de operación del Transistor de Efecto de Campo
Ø Medir los parámetrosbásicos de funcionamiento de los Transistores de Efecto de Campo, y
Ø Establecer la diferencia entre una FET de Canal N y otro de Canal P.

INTRODUCCIÓN
Las aplicaciones de los transistores de efecto de campo son muy similares a las de un transistor bipolar.
Aunque el FET presenta ciertas ventajas sobre el BJT que lo hacen más viable para ciertas aplicaciones.
Entre estas ventajas están lassiguientes:
- El FET es un dispositivo sensible a voltaje con una alta impedancia de entrada, por lo que se
utiliza en la etapa de entrada de un amplificador multietapas.
- Los FETs son más estables a cambios en la temperatura que los BJTs.
- Los FETs tienen la capacidad de disipar mayores potencias.
- Dada su alta impedancia de entrada, los FETs suelen utilizarse para almacenar carga.
Entrelas desventajas que presentan los FETs están las siguientes:
- Presentan una pobre respuesta a la frecuencia.
- Algunas clases de FETs presentan pobre linealidad.
- Los FETs pueden dañarse cuando se manejan manualmente.

Principio de funcionamiento
El Transistor de Efecto de Campo (Field-Effect Transistor) es un dispositivo semiconductor que
básicamente basa su funcionamiento en laestrangulación de un canal por la penetración de la zona de
carga espacial de las junturas vecinas. Por este motivo, la polarización del mismo es necesariamente en
inversa.

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PF1 – Características V-I de FETs

El cuerpo de un transistor de efecto de campo de unión (JFET) típico está formado por un pedazo de
material semiconductor tipo p ó n, llamado canal de conducción, rodeado en parte de sulongitud por un
collar del otro tipo de material semiconductor, formando entre este y el canal una unión P-N.
En los extremos del canal se hacen sendas conexiones óhmicas llamadas respectivamente Drenador (DDrain) y Fuente (S-Source), más una conexión en el collar llamada compuerta (G-Gate).
Modelo de transistor JFET canal N

Modelo de transistor JFET canal P

D

D

G
P

G

P

NN

N

P
S

S

Canal N

Canal P

Figura 1. a

Figura 2. a

D

D

G

G
S

S

Figura 1. b

Figura 2. b

Las uniones Gate-Source y la Drain-Gate están polarizadas inversamente de tal forma que no existe
otra corriente a traves de la unión PN que la de saturación inversa.
La zona N (en el JFET canal n) es pequeña y la amplitud de la zona de deplexión afecta a lalongitud
efectiva del canal. La longitud de la zona de deplexión depende de la tensión inversa (VSG).

Zonas de funcionamiento del transistor de efecto de campo (FET):
El Transistor de Efecto de Campo puede operar en una de tres zonas de operación posibles; Región
Ohmica, Región de Saturación y Región de Corte.
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PF1 – Características V-I de FETs

1.- ZONA ÓHMICA o LINEAL: En esta zonael transistor se comporta como una resistencia variable
dependiente del valor de VGS
2.-ZONA DE SATURACIÓN: En esta zona es donde el transistor amplifica y se comporta como una
fuente de corriente gobernada por VGS
3.- ZONA DE CORTE: La intensidad de DRAIN es nula (ID=0).

A diferencia del transistor BJT, los terminales DRAIN y SOURCE del JFET pueden intercambiarse sin
que se altereapreciablemente la característica V-I (se trata de un dispositivo simétrico).
La operación de un JFET de CANAL P es complementaria a la de un JFET de CANAL N, lo que
significa que todos los voltajes y corrientes son en sentido contrario.
Entre las principales aplicaciones de este dispositivo podemos destacar:
APLICACIÓN
Aislador o separador
(buffer)
Amplificador con CAG
Resistor variable por...