jfet
Páginas: 2 (494 palabras)
Publicado: 3 de noviembre de 2015
AUTO POLARIZACIÓN Y AMPLIFICACIÓN JFET
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MATERIALES
Transistores 2N3819
Resistencias del valor calculado
Fuente de voltaje
Multímetro
Caimanes
PROCEDIMIENTO
En la práctica realizada seelaboró el montaje de amplificación transistorizada en un Field-effect transistor (FET) según la configuración proporcionada por unas tablas con condiciones dadas por el docente y por la realización dealgunos cálculos teóricos apoyados en el Datasheet del transistor a implementar. Después de tener el montaje se procede a medir el Vi y el Vo para obtener la ganancia del transistor FET.
CALCULOSValores de los tres criterios
VDD = 12
Avf= -5
RD = 5.1K
RL=33K
Vi=10mV
Hallar el valor de Idss, con ayuda de un potenciómetro obtener Idss/2 e Idss/4. Y seguido de esto medir los puntos detensión en VGS en cada corriente, con esto se caracteriza el FET a utilizar.
Ilustración 2. Práctica con potenciómetro.
IDSS VGS
6mA 0.38v
3mA 0.76v
1.5mA 1.53v
Tabla No 1. IDSS vs VGS
Según elData-Sheet del transistor 2N3819 la transconductancia mínima de este es de 1.15mS
Conociendo teóricamente Idss podemos despejar VGS con la ecuación de la trasconductancia.gm=2IdssVp2(VGS-Vp)Despejando VGS:
VGS=gmVp22Idss=(1,15mS)(-2)22(3mA)≈0,766vTeniendo VGS podemos hallar el ID para así conocer la resistencia RS:
ID=Idss(1-VGSVP)2=3mA(1--0.76-2)2≈1.153mARS=VGSID=0.76v1.15mA=660.86ΩLaresistencia comercial más cercana es de 680Ω
Como sabemos que la impedancia de entrada es de 50Ω entonces asumimos que:
RG=100Zi=100×50=5KΩLa resistencia comercial más cercana es de 5.1KΩC1=12π×2KHz×50Ω≈1.59μFEl valor comercial màs cercano del capacitor 1 es de 1µF
C2=12π×2KHz×5.1KΩ=15.6nFEl valor comercial mas cercano del capacitor 2 es de 1µF
Ilustración 3. Configuración amplificada.
Errorporcentual:
E%=5-5.035×100=0.6%ANALISIS
Al trabajar un circuito amplificador de voltaje transistorizado, por medio de la configuración auto polarizado y tener una resistencia de carga (RL), se...
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MATERIALES
Transistores 2N3819
Resistencias del valor calculado
Fuente de voltaje
Multímetro
Caimanes
PROCEDIMIENTO
En la práctica realizada seelaboró el montaje de amplificación transistorizada en un Field-effect transistor (FET) según la configuración proporcionada por unas tablas con condiciones dadas por el docente y por la realización dealgunos cálculos teóricos apoyados en el Datasheet del transistor a implementar. Después de tener el montaje se procede a medir el Vi y el Vo para obtener la ganancia del transistor FET.
CALCULOSValores de los tres criterios
VDD = 12
Avf= -5
RD = 5.1K
RL=33K
Vi=10mV
Hallar el valor de Idss, con ayuda de un potenciómetro obtener Idss/2 e Idss/4. Y seguido de esto medir los puntos detensión en VGS en cada corriente, con esto se caracteriza el FET a utilizar.
Ilustración 2. Práctica con potenciómetro.
IDSS VGS
6mA 0.38v
3mA 0.76v
1.5mA 1.53v
Tabla No 1. IDSS vs VGS
Según elData-Sheet del transistor 2N3819 la transconductancia mínima de este es de 1.15mS
Conociendo teóricamente Idss podemos despejar VGS con la ecuación de la trasconductancia.gm=2IdssVp2(VGS-Vp)Despejando VGS:
VGS=gmVp22Idss=(1,15mS)(-2)22(3mA)≈0,766vTeniendo VGS podemos hallar el ID para así conocer la resistencia RS:
ID=Idss(1-VGSVP)2=3mA(1--0.76-2)2≈1.153mARS=VGSID=0.76v1.15mA=660.86ΩLaresistencia comercial más cercana es de 680Ω
Como sabemos que la impedancia de entrada es de 50Ω entonces asumimos que:
RG=100Zi=100×50=5KΩLa resistencia comercial más cercana es de 5.1KΩC1=12π×2KHz×50Ω≈1.59μFEl valor comercial màs cercano del capacitor 1 es de 1µF
C2=12π×2KHz×5.1KΩ=15.6nFEl valor comercial mas cercano del capacitor 2 es de 1µF
Ilustración 3. Configuración amplificada.
Errorporcentual:
E%=5-5.035×100=0.6%ANALISIS
Al trabajar un circuito amplificador de voltaje transistorizado, por medio de la configuración auto polarizado y tener una resistencia de carga (RL), se...
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