jhon

Practica 1. Curvas de polarización del diodo semiconductor
Ing. Guillermo A. David, Esp
Universidad de San Buenaventura Cali
Facultad de Ingenierías
Ingeniería Electrónica
Correo-e:gadavid@usbcali.edu.co

Objetivo.



Experimentar el comportamiento de un diodo semiconductor ante la polarización directa e
inversa de sus terminales.
Determinar experimentalmente la curvavoltaje – corriente que caracteriza a un diodo
semiconductor en particular.

Materiales.
1
2
2
1

Osciloscopio
Puntas para osciloscopio
Multímetro digital
Protoboard

1
1
1
1

Fuentede DC
Transformador de voltaje
Kit Herramientas
Manual ECG

Procedimiento.

1. CARACTERÍSTICAS TÉCNICAS DEL DIODO SEMICONDUCTOR. (No requiere simulación)
Inicialmente, se debe seleccionar undiodo semiconductor que este disponible en el laboratorio,
tomar la referencia y buscar sus especificaciones técnicas en un catálogo (ECG y el Datasheet del
fabricante).
Nos interesa conocerentre otros: el material de fabricación, la potencia que disipa y el voltaje
inverso de ruptura.

Determinar los terminales de ánodo y cátodo del diodo, por medio del catálogo.

Diodosemiconductor.
Referencia: _____________________
Especificaciones técnicas.
Material de fabricación
Potencia de disipación
Voltaje inverso de ruptura
Corriente máxima en directa
Otros

Terminalesdel diodo (gráfico)

Utilizando el Multímetro describa claramente el procedimiento para de determinar si el diodo
está en buen estado o si por el contrario está dañado.________________________________________________________________________________
________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________
________________________________________________________________________________
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