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Amplificadores de potencia de RF - Clase C

minimo 12 paginas
-teoria de operacion
-calculos
-disenos
-datasheet del transistor

frecuencia de 1MHz
impedancia de entrada y salida 50 omhs

A continuación se presentará el modelo re para las configuraciones del transistor BJT en emisor común, en base común y en colector común con una breve descripción de por qué cada una es una buenaaproximación del comportamiento real de un transistor BJT.`

La clave para el análisis en pequeña señal de los transistores es el uso de circuitos equivalentes (modelos). Un modelo es la combinación de elementos del circuito, que permiten describir el comportamiento real de un dispositivo bajo ciertas condiciones de operación. Existen varios modelos para el BJT, entre ellos:

• Modelo r e
•Modelo hibrido
• Modelo Ebers-Moll


El modelo re emplea un diodo y una fuente controlada de corriente para duplicar el comportamiento de un transistor en la región de interés. Recuérdese que una fuente de corriente controlada por corriente es aquélla donde los parámetros de la fuente de corriente se controlan por medio de una corriente en otra parte de la red. De hecho, en general:
Losamplificadores de transistor BJT se conocen como dispositivos controlados por corriente.


Configuración en emisor común (EC)
La terminología de EC se deriva del hecho de que el emisor es común tanto a la entrada como a la salida de la configuración. El emisor se conecta a las masas tanto de la señal de entrada como a la de salida.

Para la configuración de emisor común de la figura 1a, lasterminales de entrada son las terminales de base y emisor, pero el conjunto de salida lo componen ahora las terminales de colector y emisor. Además, la terminal de emisor es ahora común entre los puertos de entrada y salida del amplificador.
Para describir el comportamiento de la configuración EC, se requiere de dos conjuntos de características: Parámetros de Entrada y Salida.

Parámetros de EntradaIntroducción

A continuación se presentará el modelo re para las configuraciones del transistor BJT en emisor común, en base común y en colector común con una breve descripción de por qué cada una es una buena aproximación del comportamiento real de un transistor BJT.

La clave para el análisis en pequeña señal de los transistores es el uso de circuitos equivalentes (modelos). Un modelo es lacombinación de elementos del circuito, que permiten describir el comportamiento real de un dispositivo bajo ciertas condiciones de operación. Existen varios modelos para el BJT, entre ellos:

Modelo r e
Modelo hibrido
Modelo Ebers-Moll


El modelo re emplea un diodo y una fuente controlada de corriente para duplicar el comportamiento de un transistor en la región de interés. Recuérdeseque una fuente de corriente controlada por corriente es aquélla donde los parámetros de la fuente de corriente se controlan por medio de una corriente en otra parte de la red. De hecho, en general:
Los amplificadores de transistor BJT se conocen como dispositivos controlados por corriente.


Configuración en emisor común (EC)
La terminología de EC se deriva del hecho de que el emisor es comúntanto a la entrada como a la salida de la configuración. El emisor se conecta a las masas tanto de la señal de entrada como a la de salida.

Para la configuración de emisor común de la figura 1a, las terminales de entrada son las terminales de base y emisor, pero el conjunto de salida lo componen ahora las terminales de colector y emisor. Además, la terminal de emisor es ahora común entre lospuertos de entrada y salida del amplificador.
Para describir el comportamiento de la configuración EC, se requiere de dos conjuntos de características: Parámetros de Entrada y Salida.
Parámetros de Entrada
Se relaciona la corriente de entrada (IB) con el voltaje de entrada (VBE) para varios niveles de voltaje de salida (VCE).
Una vez que el transistor esta “encendido” se supondrá que el VBE...