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Pre informe 2

Curvas características del transistor BJT

1. Según la suma de los últimos dígitos de las cedulas, 5 nos corresponde analizar el transistor TIP31C, el voltaje del relé 24V y unaresistencia de 1,2 kΩ.

Parámetro
Valor
Símbolo
Unidades
Voltaje colector emisor máximo
100
VCEO
V
Voltaje colector base máximo
100
VCBO
V
Voltaje emisor base máximo
5
VEBO
VCorriente máxima del colector
3
IC
A
Potencia máxima disipada
40
PD
W
Ganancia de corriente DC β
25
hFE
Adimen.
Voltaje base emisor de saturación
1,8
VBE(Sat)
V
Voltaje colector emisor desaturacion
1,2
VCE(Sat)
V
Tabla 1. Parámetros extraídos del datasheet

A continuación se identifican cada una de las regiones de operación del transistor BJT:Gráfica 1. Regiones de operación del transistor BJT

Para un voltaje VCE =5V se determina para cada una de las curvas:

Corriente base IB
Corriente colector IC
Emisor IE = IB + IC
Ganancia corrienteβ= IC/ IB
200 µA
15,485 mA
15,68 mA
77,43
400 µA
36,551 mA
36,95 mA
91,38
600 µA
58,862 mA
59,46 mA
98,10
800 µA
81,400 mA
82,2 mA
101,75
1000 µA
103,747 mA
104,74 mA
103,75
Tabla2. Tabla de valores según las curvas características.

Se puede observar que a medida que la corriente IC aumenta, en la región de saturación, la ganancia de corriente β aumenta de igual forma,debido a que β es directamente proporcional a la corriente en el colector IC.

2. En nuestro caso el voltaje del relé es de 24V la resistencia de este es de 1,2 kΩ. Realizando los cálculos en la malla1 hallamos IC:

(1)

(2)

Según las curvas características halladas anteriormente para un voltaje VCE de aproximadamente de 0,1 Voltios, se obtiene IB= 800 µA e IC= 20,751 mA, entonces setiene que la ganancia de corriente β:
(3)

Asumiendo un voltaje entre la base y el emisor VBE = 0,7 V, y tomando el voltaje 1 V1(on) = 5 V, realizamos el respectivo cálculo de RB planteando la...