Kardex
DOCENTE
Eulogio Santos de la Cruz
ESTUDIANTE
Miguel Ángel Vargas Cajavilca
AULA
219
TURNO
NOCHE
ESCUELA ACADÉMICO-PROFESIONAL
INGIENERIA INDUSTRIALSEMESTRE 2012-II
EJERCICIOS DE MATERIALES DE INGENIERIA
49.- Si se difunde boro en una oblea gruesa de silicio sin contenido previo de boro a la temperatura de 1100°C durante 5 h, ¿cuál es laprofundidad por debajo de la superficie en que la concentración es de 1017 átomos/cm³ si la concentración en la superficie es de 1018 átomos/cm³? D = 4 × 10 -13cm²/s para la difusión del boro en silicioa 1100°C.
´
Hallar:
*Difusión B – Si
Sabiendo:
CX-C0CS-C0=1-ferrX2Dt
Datos:
D = 4 × 10 -13cm²/s
Cx-C0=1017atomos/cm3
Cs-C0=1018atomos/cm3
t=5h=18000s
Tengo que hallar= X
Resolviendo:10171018=1-ferrX24x10-13.18000
0.1=1-ferrX1.70x10-4
Quitando la función error:
0.1125=X1.70x10-4
0.1125x1.70x10-4=X
Solución:
X=0.19x10-4atomos/cm3= a la profundidad debajo de lasuperficie.
50.- El aluminio se difunde aluminio en una oblea gruesa de silicio sin contenido previo de aluminio a la temperatura de 1100°C durante 6 h, ¿cuál es la profundidad por debajo de lasuperficie en que la concentración es de 1016 átomos/cm³ si la concentración en superficie es de 1018 átomos/cm³? D = 2 × 10-12cm²/s para la difusión del aluminio en silicio a 1100°C.
Hallar:*Difusión Al – Si
Sabiendo:
CX-C0CS-C0=1-ferrX2Dt
Datos:
D = 2 × 10 -12cm²/s
Cx-C0=1016atomos/cm3
Cs-C0=1018atomos/cm3
t=6h=21600s
Tengo que hallar= X
Resolviendo:
10161018=1-ferrX22x10-12.216000.01=1-ferrX4.16x10-4
Quitando la función error:
0.0113=X4.16x10-4
0.0113x4.16x10-4=X
Solución:
X=0.05x10-4atomos/cm3= a la profundidad debajo de la superficie.
51.- Se difundefósforo en una oblea gruesa de silicio sin contenido previo de fósforo a una temperatura de 1100°C. Si la concentración de fósforo es de 1×1018 átomos/cm³ y su concentración a 1 μm de la superficie es...
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