Karla
Páginas: 4 (860 palabras)
Publicado: 20 de junio de 2012
TRANSISTOR IGBT |
INTRODUCCION: |
Durante muchos años se a buscado la forma de crear un dispositivo que fuese lo sufientemente veloz y que pudiese amnejar grandes cargas pero han surgidonuevas ideas con la union de un mosfet como dispositivo de disparo y un tbj de deispositivo de potoncia y de esta forma se llego a la invencion del igbt el cual sera expuesto en el siguientedocumento |
QUE ES EL IGBT: |
La sigla IGBT corresponde a las iniciales de isolated gate bipolar transistor o sea transistor bipolar de puerta de salida
El IGBT es un dispositivosemiconductor de potencia híbrido que combina los atributos del TBJ y del MOSFET. Posee una compuerta tipo MOSFET y por consiguiente tiene una alta impedancia de entrada. El gate maneja voltaje como el MOSFET.El símbolo más comúnmente usado se muestra en la figura . Al igual que el MOSFET de potencia, el IGBT no exhibe el fenómeno de ruptura secundario como el TBJ. |
El transistor bipolar de puertaaislada (IGBT) es un dispositivo electrónico que generalmente se aplica a circuitos de potencia. |
Este es un dispositivo para la conmutación en sistemas de alta tensión. La tensión de control de puertaes de unos 15V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una señal eléctrica de entrada muy débil en la puerta. |
El IGBT de la figura es una conexión integrada de unMOSFET y un BJT. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT. El IGBT es adecuado para velocidades de conmutación dehasta 20 KHz y ha sustituido al BJT en muchas aplicaciones |
SIMBOLOGIA: |
Es un componente de tres terminales que se denominan GATE (G) o puerta, COLECTOR (C) y EMISOR (E) y su símbolocorresponde al dibujo de la figura siguiente. |
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Su estructura microelectrónica es bastante compleja es por ello que lo describimos en base a su esquema equivalente. |
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CURVA...
INTRODUCCION: |
Durante muchos años se a buscado la forma de crear un dispositivo que fuese lo sufientemente veloz y que pudiese amnejar grandes cargas pero han surgidonuevas ideas con la union de un mosfet como dispositivo de disparo y un tbj de deispositivo de potoncia y de esta forma se llego a la invencion del igbt el cual sera expuesto en el siguientedocumento |
QUE ES EL IGBT: |
La sigla IGBT corresponde a las iniciales de isolated gate bipolar transistor o sea transistor bipolar de puerta de salida
El IGBT es un dispositivosemiconductor de potencia híbrido que combina los atributos del TBJ y del MOSFET. Posee una compuerta tipo MOSFET y por consiguiente tiene una alta impedancia de entrada. El gate maneja voltaje como el MOSFET.El símbolo más comúnmente usado se muestra en la figura . Al igual que el MOSFET de potencia, el IGBT no exhibe el fenómeno de ruptura secundario como el TBJ. |
El transistor bipolar de puertaaislada (IGBT) es un dispositivo electrónico que generalmente se aplica a circuitos de potencia. |
Este es un dispositivo para la conmutación en sistemas de alta tensión. La tensión de control de puertaes de unos 15V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una señal eléctrica de entrada muy débil en la puerta. |
El IGBT de la figura es una conexión integrada de unMOSFET y un BJT. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT. El IGBT es adecuado para velocidades de conmutación dehasta 20 KHz y ha sustituido al BJT en muchas aplicaciones |
SIMBOLOGIA: |
Es un componente de tres terminales que se denominan GATE (G) o puerta, COLECTOR (C) y EMISOR (E) y su símbolocorresponde al dibujo de la figura siguiente. |
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Su estructura microelectrónica es bastante compleja es por ello que lo describimos en base a su esquema equivalente. |
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