Kasa

DRAM son simple y rentable, pero requieren circuitos de refresco para evitar la pérdida de datos. Las líneas de dirección se multiplexan para reducir el número de líneas de dirección.

Unacaracterística de algunos DRAM es el modo de página rápida. Fast Page Mode permite sucesivas operaciones de lectura o escritura de una serie de columnas de dirección que están todos en la misma fila.

Otrostipos de DRAM se han desarrollado para acelerar el acceso y hacer que el procesador más eficiente. Estos incluyen DRAM EDO, DRAM BEDO y las SDRAM, tal como se describe en el texto.

La familia ROMse consideran todos no volátil, dado que mantiene los datos con poder de quitar. Se incluye varios miembros que pueden ser tanto de memoria permanente o borrable.

ROM se utiliza para almacenar datosque nunca se (o rara vez) modificados, tales como archivos de inicialización del sistema. ROMs no son volátiles, lo que significa que retienen los datos cuando se desconecta la alimentación, aunquealgunas ROMs puede ser reprogramado utilizando equipo especializado.

PROM son ROM programable, en la que se quema un enlace fundido abierto durante el proceso de programación. Una vez que la PROMestá programado, no se puede revertir.

Una EPROM es un PROM borrable y puede ser borrada por la exposición a la luz UV a través de una ventana. Para programarlo, un alto voltaje se aplica a VPP y OEestá abatido.

Otro tipo de PROM borrable es la EEPROM, que se puede borrar y programar con pulsos eléctricos.

Memorias flash son de alta densidad de lectura / escritura recuerdos que son novolátiles. Tienen la capacidad de retener carga durante años sin potencia aplicada.

La memoria flash utiliza un transistor MOS con una puerta flotante como la celda de almacenamiento de base. La puertaflotante puede almacenar carga (lógica 0) cuando un voltaje positivo se aplica a la puerta de control. Con poca carga o no, la celda almacena un 1 lógico.

La célula de memoria flash se puede...