Kniga Felipe
FENÓMENOS DE TRANSPORTE EN SEMICONDUCTORES
Comité de Selección
Dr. Antonio Alonso
Dr. Francisco Bolívar Zapata
Dr. Javier Bracho
Dr. Juan Luis Cifuentes
Dra. Rosalinda Contreras
Dra. Julieta Fierro
Dr. Jorge Flores Valdés
Dr. Juan Ramón de la Fuente
Dr. Leopoldo García-Colín Scherer
Dr. Adolfo Guzmán Arenas
Dr. Gonzalo Halffter
Dr. Jaime MartuscelliDra. Isaura Meza
Dr. José Luis Morán-López
Dr. Héctor Nava Jaimes
Dr. Manuel Peimbert
Dr. José Antonio de la Peña
Dr. Ruy Pérez Tamayo
Dr. Julio Rubio Oca
Dr. José Sarukhán
Dr. Guillermo Soberón
Dr. Elías Trabulse
YURI G. GUREVICH • FELIPE PÉREZ RODRÍGUEZ
Fenómenos de transporte
en semiconductores
F C E´
Primera edición: 2007
Gurevich, Yuri G., y Felipe Pérez RodríguezFenómenos de transporte en semiconductores / Yuri G. Gurevich,
Felipe Pérez Rodríguez — México : FCE, 2007
299 p. : ilus. ; 23 × 17 cm — (Colec. Sección de Obras de Ciencia
y Tecnología)
ISBN 978-968-16-8064-0
1. Semiconductores 2. Física I. Pérez Rodríguez, Felipe, coaut.
II. Ser. III. t.
LC QC612.S4
Dewey 537.622 G688f
Distribución mundial
Diseño de portada: Guadalupe Villa
Empresacertificada ISO 9001: 2000
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D.R. ©, 2007,F C E´
Carretera Picacho-Ajusco 227, 14200 México, D.F.
ISBN 978-968-16-8064-0
Impreso en México • Printed in Mexico
ÍNDICE GENERAL
Í . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
9
Í . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
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P´ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ..
15
I´ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
17
I. C´ ´
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
I.1 Ecuaciones cinéticas. Ecuaciones de Maxwell . . . . . . . . .
I.2 Dispersión cuasielástica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
I.3 Cálculo de frecuenciasde relajación . . . . . . . . . . . . . .
I.4 Cadena de ecuaciones cinéticas para el caso de pequeña anisotropía . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
I.5 Influencia de las colisiones interelectrónicas sobre la función
de distribución . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
I.6 Interacción interelectrónica fuerte. Aproximación de temperatura . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . .
I.7 Campos de alta frecuencia . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
II. F . . . . . . . .
II.1 Dispersión cuasielástica de fonones
II.2 Interacción interfonónica fuerte . .
II.3 Interacción fonón-electrón fuerte . .
II.4 Condiciones de frontera . . . . . . .
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61
61
70
79
93
III. F´ ´ . . . . . . . . . . . . . . . . . .
III.1 Termoconducción en medios isotrópicos . . . .
III.2 Propagación de calor en el caso unidimensional
III.3 Campos de temperatura bidimensionales . . . .
III.4 Campos termoeléctricos . . . . . . . . . . . .
III.5 Termoconducción en mediosanisotrópicos . . .
III.6 Medios bipolares . . . . . . . . . . . . . . . .
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101
107
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7
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21
31
36
8
FENÓMENOS DE TRANSPORTE EN SEMICONDUCTORES
III.7 F.E.M. térmica de medios bipolares . . . . . . . . . . . . . .
III.8 Arrastre electrón-fonón y...
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