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Resumen sobre Transistores BJT (v1.0)
Descripción básica
El transistor de unión bipolar (BJT) es un dispositivo electrónico de tres terminales,
construido mediante dos junturas desemiconductores tipo P y N.
La relación entre Tensión y Corriente del puerto de salida (colector-emisor) varía según
la intensidad de corriente que circula por el puerto de entrada (base-emisor).
Hay dosclases de transistores BJT, los NPN y los PNP, el nombre se refiere al tipo de
material semiconductor utilizado en cada parte, Colector-Base-Emisor respectivamente.
Símbolos de circuito
NPN PNPCondiciones de operación
Para obtener condiciones normales de operación las junturas deben estar polarizadas
* base-emisor con polarización directa (en un NPN, Vbase > Vemisor)
* base-colectorcon polarización inversa (en un NPN, Vbase < Vcolector )
Además (por ley de Kirchoff de corrientes) se verifica que : Ie = Ib + Ic
En el transistor BJT se reconocen 3 regiones de operaciónActiva: Esta región de operación se considera de corriente constante, se cumple
aproximadamente la relación : Ic = hFE . Ib
(En la cual hFE es la ganancia de corriente continua y depende de laconstrucción del transistor.)
Aunque en la práctica Ic varía levemente para diferentes valores de Vce,
para esta región se puede pensar que: la corriente Ic es una versión amplificada
de la corrienteIb. [Zona Lineal]
Saturación: Si Vce es demasiado pequeño, Ic ya no es proporcional a Ib, es decir,
aunque Ib aumente, Ic no sigue ese crecimiento Ic < hFE . Ib
La tensión Vce permaneceprácticamente constante en un valor llamado Vsat,
para esta región se puede pensar que: entre colector y emisor, el transistor
trabaja “como una llave cerrada”. [Zona No lineal]
Corte: Cuando Ib es muypequeña o nula, implicará además Ic = 0.
Lo que equivale a decir que no hay conducción entre colector y emisor.
En esta región se puede pensar que: entre colector y emisor, el transistor trabaja...