La Tarea

INTITUTO POLITECNICO NACIONAL
ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERIA MECANICA Y ELECTRICA
UNIDAD ZACATENCO



TRABAJO:
EXPERIMENTO CON FOTORESISTENCIAS



ALUMNO:
SÁNCHEZ MARTÍNEZ HUGO ENRIQUEGRUPO: 4CM6 BOLETA: 2009300953 SALON: 4205





ASIGNATURA: MECANICA CUANTICA





PROFESOR: TELLEZ MINOR SAUL








Fecha de realización: 10 al 13 de octubre de2010
Fecha de entrega: 14 de octubre de 2010







E V A L U A C I Ó N
INTRODUCCION
FOTORESISTENCIA

Una fotorresistencia o resistor dependiente de la luz, cuya siglas (LDR) se originande su nombre en inglés Light-Dependent Resistor es un componente electrónico que tiene la característica de disminuir su resistencia con el aumento de intensidad de luz incidente. También se lellama fotorresistor, fotoconductor, célula fotoeléctrica.
Los fotorresistor están hechos de un semiconductor de alta resistencia. Si la luz que incide en el dispositivo es de alta frecuencia, losfotones son absorbidos por la elasticidad del semiconductor dando a los electrones la suficiente energía para saltar la banda de conducción. El electrón libre que resulta (y su hueco asociado) conduceelectricidad, dando como resultado la disminución de la resistencia.

Un dispositivo fotoeléctrico puede ser intrínseco o extrínseco. En dispositivos intrínsecos, los únicos electrones disponiblesestán en la banda de la valencia, por lo tanto el fotón debe tener bastante energía para excitar el electrón a través de toda la banda prohibida. Los dispositivos extrínsecos tienen impurezas agregadas,que tienen energía de estado a tierra más cercano a la banda de conducción puesto que los electrones no tienen que saltar lejos, los fotones más bajos de energía (es decir, de mayor longitud de onda yfrecuencia más baja) son suficientes para accionar el dispositivo

Un fotorresistor está hecho de un semiconductor de alta resistencia como el sulfuro de cadmio, CdS. Si la luz que incide en el...