La tecnica de crecimiento por MOVPE

La técnica de crecimiento por MOVPE (Metal Organic Vapor Phase Epitaxy) es, probablemente, la técnica más utilizada para el crecimiento de células solares basadas en semiconductores III-V. De hecho,es la única técnica utilizada industrialmente en su fabricación. Permite crecer estructuras semiconductoras con perfiles abruptos en composición y dopaje, al igual que espesores desde nanómetroshasta micras con unas velocidades de crecimiento óptimas para la industria. Tiene la desventaja de que las técnicas de caracterización in-situ no están suficientemente desarrolladas, comparativamente conla MBE (Molecular-Beam Epitaxy), por lo que es necesario utilizar técnicas ex-situ.
EL POR QUÉ DE LA MOVPE. VENTAJAS E INCOVENIENTES :
Existen diferentes técnicas de crecimiento epitaxialutilizadas en semiconductores III-V, siendo las más utilizas la LPE (Liquid Phase Epitaxy), MBE y MOVPE. La técnica de epitaxia de fase líquida (LPE) fue la más utilizada en los comienzos de lainvestigación del crecimiento epitaxial de semiconductores III-V y IIVI, al igual que fue la primera técnica de crecimiento epitaxial implantada en el IESUPM, con la cual se obtuvo el récord del mundo paramonounión de GaAs a 1000 X [Algora01a]. Se basa en el crecimiento muy cerca del equilibrio termodinámico a través de una disolución saturada que precipita al disminuir ligeramente en temperatura. Esto tienela ventaja de que genera material de muy alta calidad y, además, su instalación es muy sencilla pero, justamente porque el crecimiento se produce muy cerca del equilibrio termodinámico, es muy difícilobtener interfaces abruptas en composición y dopaje, requisitos fundamentales para el desarrollo de células solares multiunión. Además, el crecimiento de capas de decenas de nanómetros o de materialesdiferentes al AlGaAs o GaAs es muy poco controlable. Este es, probablemente, el motivo principal por el cual la técnica de LPE fue poco a poco sustituida por otras técnicas epitaxiales en el...