Lab analogica


CARACTERISTICAS DEL TRANSISTOR BIPOLAR


OBJETIVOS
General: hacer comprobación de las características de corriente y voltaje del transistor NPN trabajando en la región activa.
Específicos:
Conocer la forma en como el beta y la corriente de base afectan el voltaje emisor colector
Experimentar ciertas características de la juntura bipolar dependiendo de la forma en como se construya lagráfica de la característica del transistor según los parámetros de corriente de colector contra el voltaje colector – emisor que aunque en formula no se puede ver como este afecta en el otro en la práctica se comprueba ello.

JUSTIFICACION
La práctica se realizó con el fin de valorar los conocimientos adquiridos en clase  sobre transistores y así analizar el funcionamiento de este bajodiferentes condiciones de corriente y voltaje en sus diferentes terminales, así como también examinar el comportamiento de Beta para la realización de diseños en el futuro como ingenieros.

MARCO TEORICO
El transistor de unión bipolar (del inglés Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permitecontrolar el paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.
Los transistoresbipolares son los transistores más conocidos y se usan generalmente en electrónica analógica aunque también en algunas aplicaciones de electrónica digital, como la tecnología TTL o BICMOS.
Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:
Emisor, que se diferencia de lasotras dos por estar fuertemente dopada, comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector, de extensión mucho mayor.
La técnica de fabricación más común es la deposición epitaxial. En su funcionamiento normal, la unión base-emisor está polarizada endirecta, mientras que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca recombinación de portadores, y la mayoría pasa al colector. El transistor posee tres estados de operación: estado de corte, estado de saturación y estado de actividad.
ELEMENTOS MATERIALES Y EQUIPOS
Instrumentos: Multímetro Digital
Componentes: resistorde 330kΩ, de 1kΩ, un transistor de 2N3904, Potenciómetro de 1MΩ y otro de 5Ω.
Protoboard
Fuente DC
DESARROLLO ANALITICO
Teniendo en cuenta la Tabla 1. (ver hoja de datos), para cada VRB, se halla la intensidad que pasa por el resistor RBC, que sería IC mediante la Ley de Ohm, como se muestra en la siguiente formula, dichos resultados están asignados en la Tabla 2.
TRANSISTOR 2N3904Después de calcular IC se procede a hallar IB, la cual es la que pasa por RB, y puesto que previamente se midió y RB, dicha corriente se puede calcular mediante la siguiente




Conociendo las ICe IB respectivas para cada transistor, se encuentran los βDC, para cada uno,






CALCULO DE α Y 
Como ya se tiene , se puede calcular  para los valores indicados en laTabla 2.; con la siguiente fórmula,

Los resultados para todos los valores asignados en la Tabla 2.; se encuentran en ésta.
Conociendo, se calcula α mediante la fórmula


Los valores para los diferentes valores, se encuentran indicados en la Tabla 2.
Tabla 2. Valores calculados
VRB(V)
Medido
IB(A)
Calc.
VRC(V)
Medido
IC(mA)
Calc.
IE(mA)
Calc.
DC
Calc
DC
Calc.
promedio...