lab transistores

Universidad
Profesor: Juan
Fecha: 19 de setiembre del 2012
Alumnos :





Lab #:
0


1. Introducción

En este laboratorio se diseño un circuito de transistor en polarización fijacon resistencia en el emisor( ver imagen 1), en el cual por medio de un potenciómetro debíamos averiguar cual era la resistencia, que nos permita una corriente de emisor de 4mA nivel experimental, estopor medio de un amperímetro colocado en el colector como se ve en la imagen 1 , sin embargo esto no se logró debido al beta del transistor, por lo que hubo que variar la resistencia de base (ya queno se estaba saturando)para obtener la corriente de emisor solicitada.

2. Resultados

2.1 Esquema del circuito propuesto para el laboratorio

(imagen 1)

donde
RB = 470kΩ
RC = ?
RE =220Ω







2.2 Componentes utilizados

1
protoboard
3
resistencias de 100kilo ohmios
1
un transistor 2N2222
1
resistencia de 220 ohmios
1
una fuente variable voltaje

2.3Cálculos

CIRCUITO PROPUESTO EN LAB(por el profesor)
Análisis malla entrada.
β=180
IC=4mA
IC= IE

12V=RBIB+VBE+ICRE
12V=IB (470kΩ)+0.7V+(4mA)(220Ω)
12V-0.7V-0.88V= 470kΩ(IB)(10.42V)/( 470kΩ)= IB
IB ≈22µA
β IB= 4mA
180(22µA) ≈4mA
Si se utiliza el β del transistor (75) con este circuito (RB=470kΩ) la corriente máxima de colector sería de 1.65mA
Análisis malla salida.VCE=0V (considerando análisis en saturación)
ICMAX=4mA
12V=ICRC+VCE+ICRE
12V=(4mA)RC+0V+(4mA)(220Ω)
12V-0V-0.88V=(4mA)RC
(11.12V)/(4mA)= RC
RC≈2.8kΩ











CIRCUITOMONTADO EN LAB(solución)
Análisis malla entrada.
β=75
IC=4mA
IC= IE
RB≈196kΩ
β IB= 4mA


IB= (4mA)/75
IB=53µA
12V=RBIB+VBE+ICRE
12V=RB(53µA)+0.7V+(4mA)(220Ω)
12V-0.7V-0.88V=RB(53µA)
(10.42V)/(53µA)= RB
RB≈196kΩ
Análisis malla salida.
VCE=0V (considerando análisis en saturación)
ICMAX=4mA
12V=ICRC+VCE+ICRE
12V=(4mA)RC+0V+(4mA)(220Ω)
12V-0V-0.88V=(4mA)RC...