lab1

Universidad Austral de Chile
Facultad de ciencia de la ingeniería
Escuela Ingeniera Civil Electrónica.






Trabajo Grupal N° 1
Diodos, análisis de circuitos, punto de funcionamiento.









Alumnos: José Sanz.
Oscar Marin

Profesor: Ricardo Gutiérrez
Curso: ELEL-171
Fecha: 29 abril 2014



OBJETIVOS.

Previo a la realización de laexperiencia obtener la información de características específicas desde datasheet de los distintos diodos semiconductores que utilizamos en la realización del practico. Esto para tener en cuenta los valores máximos que nos especifican los fabricantes en los catálogos y no someter a los materiales a condiciones para las cuales no fueron fabricados.

Con la realización de la primera parte de laexperiencia el principal objetivo es obtener la curva característica de diodos de silicio y de germanio, con los datos obtenidos trazar esta curva característica y comparar, los resultados obtenidos con las especificaciones proporcionada por el fabricante en los datasheet.

La última etapa de la experiencia hace referencia al estudio de los diodos como rectificadores en este caso de media onda, y comoson las etapas de rectificación de onda, para obtener una salida que sea completamente rectificada atreves del conjunto diodo condensador.



























MATERIAL Y EQUIPO.


Protoboard Marca KandH Modelo GL-24.
Osciloscopio Marca Trio 10MHZ Modelo CS-1562A.
Multímetro Digital Marca Protek Modelo 500.
Fuente de alimentación regulableMarca Trio Modelo PR-653.
Alicate punta 6” Marca Uyustools.
Alicate cortante 6” Marca Uyustools.
Cables.

Reóstato 100Ω - 2 Amperios.
Transformador - 220/9 volts Marca Romi.
Frecuencia 50/60 Hz.
Potencia 14 VA.
Diodo rectificador 1N4007.
Diodo de germanio 1N60.
Condensador 47 uF, 50 volts. Marca Samwha.
Condensador 470 uF, 25 volts. Marca Samwha.
Condensador 4700uF, 50 volts. Marca Samwha.




Tipo
1N1202
1N4007
MR1124
1N3309
1N60
Ge/Si
Silicio
Silicio
Silicio
Silicio
Germanio
Fabricante(s)
Microsemi
Motorola
Digitron
Motorola
NTE electronic
VRM (V)
200
1000
400
1,5
75
IF ( mA)
12000
1000
12000
0,01
50
PD (W)
16

28
50

Tjmax (ºC)
-65 a 200°C
-65 a 175°C
-65 a 190°C
-65 a 175°C
-55 a 75°C
Cp (pF)




1Izmax(mA)



4300

Vz (V)



10

Encapsulado
DO-4
DO-41
DO-4
DO-5
DO-7
Aplicaciones
Cargadores de baterías
Protección de polaridades en ctos.
Sistemas rectificador de potencia
Regulador de voltaje en ctos de potencia.
Rectificador de baja corriente y alta velocidad

Desarrollo.

En el punto dos del práctico realizado se deja plantear un circuito apropiado para realizarmediciones de tensión y corriente de diodos semiconductores que se deja a libre elección, de los disponibles en pañol, de los cuales seleccionamos un diodo rectificador de silicio (1N4007) y uno de germanio (1N60)


Ilustración Circuito propuesto para mediciones. (Elaboración propia)
En la ilustración 1 el circuito que utilizamos para realizar las mediciones de las variables de interés (),para el diodo 1N4007 a la izquerda y para el diodo 1N60 a la derecha, la resistencia que utilizamos fue el reóstato por su mayor capacidad para soportar corriente, el que utilizamos señalaba que su corriente máxima era de 2 A. No se llegó a ese nivel de corrientes por las limitaciones que los fabricantes nos detallan en la hoja de características de los dispositivos.
Para el 1N4007. Principalescaracterísticas
Tensión inversa de pico máximo: 1KV (VRRM)max
Tensión máxima en un circuito rectificador de madia onda con carga capacitiva: 500 V (Vef)
Rango de temperatura: - 65 ºC a +125 ºC
Caída de tensión: 1,1 V (VF)max
Corriente en sentido directo: 1 A (If)
Corriente máxima de pico: 30 A (Ifsm)max

Para el 1N60. Principales características
Tensión inversa de pico máximo: 100V...