Laboratorio 3 Drenaje Comun

Universidad Tecnológica de Panamá
Facultad de Ingeniería Eléctrica
Ingeniería Eléctrica y Electrónica
Circuitos Electrónicos II
Luzmila Lan

EXPERIMENTO Nº 3
AMPLIFICADOR DRENAJE COMUN Y COMPUERTA COMÚN CON
MOSFET

Almengor, Carlos Iván
4-758-559
carlos.almengor@utp.ac.pa

Leon, Cesar
8-858-853
cesarleon14@gmail.com

Lopez, Luis C.
8-832-763
elcarlos_814@hotmail.com

Sanchez, Darlene
8-816-2043dginette01@hotmail.com

Vasquez, Eligio
4-761-594
eligio-8@hotmail.com

Resumen. Realizamos experimentos con conexiones fuente común para tomar mediciones y poner a práctica los
conocimientos adquiridos en clase teórica.
Descriptores. MOSFET, JFET, canal N, canal P, drenaje comun, compuerta comun.
1.

Introduccion

El transistor de efecto campo es en realidad una familia de transistores que sebasan en el campo eléctrico para
controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias
controladas por diferencia de potencial.
La mayoría de los FET están hechos usando las técnicas de procesado de semiconductores habituales, empleando la
oblea monocristalina semiconductora como la región activa o canal.
Los transistores de efecto de campoo FET más conocidos son los JFET (Junction Field Effect Transistor),
MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET).
Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La puerta es la terminal
equivalente a la base del BJT (Bipolar Junction Transistor). El transistor de efecto de campo se comporta como un
interruptor controlado por tensión, donde el voltaje aplicado ala puerta permite hacer que fluya o no corriente entre
drenador y fuente.

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2.

Materiales y métodos
Los materiales empleados en el desarrollo del laboratorio son los siguientes:
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Multímetro
Fuente de voltaje DCOsciloscopio de dos canales
Generador de señal
Resistores 1/2 W
Capacitores no electrolíticos
1 Nmosfet 2N70000 o equivalente.

Parte 1. Amplificador Drenaje Común
Utilizando las especificaciones de un FET 2N3796 con Vt = 3V y Kn= 0.48mA/V2 (Datos brindados por el profesor)
diseñamos un circuito drenaje común para una corriente de saturación de ID = 425µA y VDS = 9V.

Análisis DC

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Valores simulados:

Valores de diseño

Valores
comerciales

Valores de
diseñoValores
simulados

Margen de
diferencia

R1

253k

240k

ID =0.425mA

ID =0.432mA

0.007A

R2

247k

240k

VDS =9V

VDS =8.961V

0.039V

Rs

2.35k

2.4k

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Línea de Carga, Punto de Operación y Curva de Saturación

Para Id=0mA
Para Vds=0Punto de Operación sería:
Vds= 8.961V
Id= 423.7µA

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Comentarios de Punto
Gráficas:
de Operación:
Línea de carga: observamos cómo se comporta el
voltaje de drenaje-fuente con respecto a la corriente
cuando VDD=VDS la corriente es igual a cero, y cuando
VDS= 0 la corriente es igual a
.
Curva de Saturación: vemos como se comporta Vdd
con respecto a la corriente, para cuandoVdd=10V
tendremos la corriente en el punto de operación.
Punto de Operación: vemos en que voltaje Vds y Vdd
esta operando el dispositivo. Opera cuando Vdd=10V,
Vds=8.961 e Id=432.7µA.

1µF

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

Curva de VGSQ

Observamos que el MOSFET empieza a opera cuando...