Laboratorio 4

UNIVERSIDAD CATOLICA BOLIVIANA
LABORATORIO DE
MEDIDAS Y COMPONENTES ELECTRONICOS



PRE-INFORME LABORATORIO No. 4

IDENTIFICACIÓN DE DIODOS,
TRANSISTORES Y CIRCUITOS INTEGRADOS


EXPERIENCIA 4.3 OBTENCIÓN DE LA CURVA DE TRANSISTORES


Docente:

Ing. Ramiro Fuentes


Estudiantes:

1) Fernandez Rodrigo
2) Guzman Pablo
3) Vasquez Adrian
4) Irigoyen Roberto


Cochabamba octubre de 2007Obtención de la curva de transistores

Marco Teórico.-

Transistores:

Es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término "transistor" es la contracción en inglés de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente se los encuentra prácticamente en todos los enseres domésticos de uso diario: radios,televisores, grabadores, reproductores de audio y vídeo, etc.
El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes drogadas artificialmente que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que está intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A diferencia de las válvulas, eltransistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En el diseño de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo, a diferencia de los resistores, capacitores e inductores que son elementos pasivos. Su funcionamiento sólo puede explicarse mediante mecánica cuántica.
De manera simplificada, la corriente que circula por el "colector" esfunción amplificada de la que se inyecta en el "emisor", pero el transistor sólo gradúa la corriente que circula a través de sí mismo, si desde una fuente de corriente continua se alimenta la "base" para que circule la carga por el "colector", según el tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificación logrado entre corriente de base y corriente de colector, se denomina Beta deltransistor. Otros parámetros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de transistor son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base, Potencia Máxima, disipación de calor, frecuencia de trabajo, y varias tablas donde se grafican los distintos parámetros tales como corriente de base, tensión Colector Emisor, tensión Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Los trestipos de esquemas básicos para utilización analógica de los transistores son emisor común, colector común y base común.
Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores FET, MOSFET, JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utilizan la corriente que se inyecta en el terminal de "base" para modular la corriente de emisor o colector, sino la tensión presente en el terminal de puerta oreja de control y gradúa la conductancia del canal entre los terminales de Fuente y Drenador. De este modo, la corriente de salida en la carga conectada al Drenador (D) será función amplificada de la Tensión presente entre la Puerta (Gate) y Fuente (Source). Su funcionamiento es análogo al del triodo, con la salvedad que en el triodo los equivalentes a Puerta, Drenador y Fuente son Reja, Placa yCátodo.

Circuito:

Q1= PN2222, (ECG 123AP) Rb1= 120K, Rb2= 270K


Procedimiento:

a) Extraer los parámetros eléctricos del transistor de WWW.ALLDATASHEET.COM:

b) Para Vb=0 variar la fuente de voltaje Vc de 0 a 15V con incrementos de 1V. En estas condiciones medir los voltajes Vce, Vbe y las corrientes Ic y Ib para cada incremento.

Simulación




VC
IB [pA]
VBE[nV]
IC [μA]
VCE
0
0
0
0
0
1-0,16
13
0
1
2
-0,33
27
0
2
3
-0,49
40
0
3
4
-0,65
54
0
4
5
-0,82
67,5
0
5
6
-0,97
81
0
6
7
-1,13
94
0
7
8
-1,31
107
0
8
9
-1,48
121
1,77
9
10
-1,64
134
1,77
10
11
-1,8
148
0
11
12
-1,96
161
0
12
13
-2,11
175
0
13
14
-2,27
188
0
14
15
2,43
202
0
15

c) Repetir el paso b) para Vb = 3v, 5v y 7v





VC
IB [μA]
VBE[mV]
IC [μA]
VCE
1
16,87mA
672
-2,72
1
2
16,87
671
-2,75
2
3
16,87
671
-2,79
3
4
16,87...