Laboratorio de Electronica


Universidad Técnica Nacional
Sede Del Pacífico


Laboratorio De Electrónica
IEL- 315

Profesor:
Ing. Douglas Quesada Zúñiga.

Informe Número Tres
Circuitos con diodos

Elaborado por:
Danel Villalobos Chavarría.
José Miguel Carrillo Pérez.


Miércoles 15 de octubre del 2014.

Índice

Introducción 3
Objetivos Generales 3
Objetivos Específicos 3
Guía De Laboratorio 4Procedimiento: 4
Tablas y circuitos. 14
Análisis de resultados. 14
Conclusiones 14
Bibliografía 15
Marco teórico 15
















Introducción

Se estudiara el comportamiento de los diodos tanto el de silicio como el del germanio mediante la obtención de su curva característica, el funcionamiento que tiene este dispositivo dentro de un circuito serie y paralelo en conjuntocon otros dispositivos pasivos. Se estudiaran sus aplicaciones en recortadores y sujetadores de tensión.
Estos dispositivos varían sus características en base a las condiciones de operación, por tal motivo es importante saber interpretar las características de la hoja del fabricante, de manera que se puedan realizar comparaciones de operación.
Se tomaran sus curvas características comoparámetros de comparación para así poder hacer comparaciones lo más exactas posibles.


Objetivos Generales


Desarrollar un conocimiento práctico del diodo dentro de una variable de configuraciones mediante el uso de modelos apropiados para el área de aplicación, los cuales han sido detallados dentro del contenido de la clase teórica.








Objetivos Específicos

3.1— Comprender elpatrón fundamental de comportamiento de los diodos en las redes de DC de AC.

3.2--- Determinar de una manera práctica, la función y la respuesta del diodo dentro de una variedad de configuraciones electrónicas.

3.3--- Reconocer en forma práctica que aunque las configuraciones de los circuitos varíen, las características y los modelos teóricos del diodo específico para identificar.

3.4---Reconocer la incertidumbre de un modelo de diodo específico para identificar que ningún dispositivo se comporta igual a otro de su mismo lote.

Guía De Laboratorio

Procedimiento:
6.1- Prueba de diodos.
La escala de prueba para el diodo del DMM puede utilizarse para determinar el estado de un diodo. Con una polarización, el DMM deberá mostrar el potencial de disparo del diodo, mientras con laconexión reversa resultará una respuesta “OL”, que indicará una condición abierta o de alta impedancia.
Con un DMM una fuente interna de corriente constante de aproximadamente 2mA polarizará directamente la unión y se obtendrá una tensión cercana a 0.7v para el diodo de silicio. Si se revierten las terminales se obtendrá “OL”.
Si obtienen una lectura baja menos de 1v en ambas polarizaciones, launión del diodo está en corto internamente. Si se obtiene “OL” en ambas direcciones, la unión está abierta.
Realice las pruebas de la tabla para el diodo de silicio.


Tabla 1: prueba de diodos de silicio
Prueba
Si
Polarización directa
0.7v
Polarización inversa
0v

6.2-Características del diodo con la polarización directa
En esta parte del experimento, se obtendrá suficientes datospara graficar las características de polarización directa del diodo de silicio.
a._ Monte el circuito de la figura 2. Anote el valor medido de la resistencia de 1kΩ



Figura2.- Circuito de polarización de un diodo de silicio en directa

b.- Ajuste la tensión hasta VD marque 0.1v. Entonces mida VR y anótelo en la tabla. Calcule Id utilizando la ecuación mostrada en la tabla.

Tabla2. Vd vrsId para el diodo de silicio
Vd (v)
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
Vr (v)
0.1mV
0.2mV
0.36mV
0.14mV
0.77mV
0.12V
0.23V
0.29V
Id (mA)
0.1mA
0.2mA
0.36mA
0.14mA
0.77mA
0.12mA
0.23mA
0.29mA

Nota: Id debe calcularse con la formula Id=VR/R
c.- Repita el paso b para los valores restantes de VR


Tabla 3. Continuación Vd vrs Id para el diodo de silicio

Vd(v)
0.9...