laboratorio de microondas
Páginas: 2 (490 palabras)
Publicado: 23 de septiembre de 2014
Informe Final Experiencia N 1
CURVAS CARACTERISTICAS DEL OSCILADOR GUNN
Curso: Laboratorio de microondas
Martes 12:00 – 2:00 pm
Sección: M
Fecha de presentación: 29 / 04 / 14
2014 - IPreguntas
1. Aproximadamente calcule la frecuencia del oscilador de acuerdo a la Ec. (1.1), especificado para la frecuencia de resonancia del resonador de cavidadrectangular. Para esto use el dato geométrico determinado en el experimento del paso 1.2. Aquí asumirá una resonancia TE101 con “planos de corto circuitos efectivos” para la ubicación en el eje delposte y el diafragma. Ver Fig. 1.2 derecha inferior, también.
Se tiene:
a = 2.3cm y S =2.2cm
El medio dentro de la cavidad: aire.
Entonces:
=
= 9.435 GHz.
2.Asumiendo que la capa activa en el GaAs tiene un espesor de 10 um, determine del valor del voltaje umbral VTH (voltaje por encima del cual la movilidad diferencial llega a ser negativa), el valor umbralde la intensidad de campo eléctrico ETH en KV/cm. La caída de voltaje fuera de la capa activa puede ser ignorado aquí, y asumir una distribución espacial homogénea de la intensidad del campo.
Delos datos obtenidos se tiene que el VTH = 4.5 voltios.
Para una longitud de la región activa de 10um, el campo eléctrico umbral del GaAs es:
ETH = 4.5 / 10-3 = 4.5 k V/cm.
3. Asumiendo unavelocidad del dominio de 107 cm/s, determine la frecuencia de tránsito del elemento Gunn.
A temperatura ambiente:
Frecuencia de transito= 107 / 10-3 = 1010 = 10 GHz.
4. Grafique lascurvas características para cada caso.
Con todas sus componentes
Sin diafragma
Sin cortocircuito
5.Explique las diferencias de las respuestas obtenidas en el experimento de los pasos ② (con diafragma y plano de corto), ③ (sin diafragma pero con placa de cortocircuito) y ④ (sin placa de cortocircuito,...
CURVAS CARACTERISTICAS DEL OSCILADOR GUNN
Curso: Laboratorio de microondas
Martes 12:00 – 2:00 pm
Sección: M
Fecha de presentación: 29 / 04 / 14
2014 - IPreguntas
1. Aproximadamente calcule la frecuencia del oscilador de acuerdo a la Ec. (1.1), especificado para la frecuencia de resonancia del resonador de cavidadrectangular. Para esto use el dato geométrico determinado en el experimento del paso 1.2. Aquí asumirá una resonancia TE101 con “planos de corto circuitos efectivos” para la ubicación en el eje delposte y el diafragma. Ver Fig. 1.2 derecha inferior, también.
Se tiene:
a = 2.3cm y S =2.2cm
El medio dentro de la cavidad: aire.
Entonces:
=
= 9.435 GHz.
2.Asumiendo que la capa activa en el GaAs tiene un espesor de 10 um, determine del valor del voltaje umbral VTH (voltaje por encima del cual la movilidad diferencial llega a ser negativa), el valor umbralde la intensidad de campo eléctrico ETH en KV/cm. La caída de voltaje fuera de la capa activa puede ser ignorado aquí, y asumir una distribución espacial homogénea de la intensidad del campo.
Delos datos obtenidos se tiene que el VTH = 4.5 voltios.
Para una longitud de la región activa de 10um, el campo eléctrico umbral del GaAs es:
ETH = 4.5 / 10-3 = 4.5 k V/cm.
3. Asumiendo unavelocidad del dominio de 107 cm/s, determine la frecuencia de tránsito del elemento Gunn.
A temperatura ambiente:
Frecuencia de transito= 107 / 10-3 = 1010 = 10 GHz.
4. Grafique lascurvas características para cada caso.
Con todas sus componentes
Sin diafragma
Sin cortocircuito
5.Explique las diferencias de las respuestas obtenidas en el experimento de los pasos ② (con diafragma y plano de corto), ③ (sin diafragma pero con placa de cortocircuito) y ④ (sin placa de cortocircuito,...
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