Laboratorio De Mosfet

[LABORATORIO Nº2]

ELC-115

LABORATORIO 2: CIRCUITOS CON MOSFETS DE ENRIQUECIMIENTO
RESUMEN
En este laboratorio se llevó a cabo la elaboración de circuito con
MOSFETS de enriquecimiento tipo P y tipo N, esto con el fin de
identificar las características de estos dispositivos como voltaje de
umbral y la constante KW/L así como la visualización de su funcionamiento
como inversor. Paraesto se utilizó un circuito integrado 4007 que
incluye 3 MOS tipo P y 3 MOSFET tipo N. Por último, este laboratorio se
complementó con la simulación de lo realizado en el laborator io para
comparar nuestros resultados.
EQUIPO Y COMPONENTES
Generador de funciones
Osciloscopio digital
Protoboard

Multímetro Digital
Resistencia [Ω]: 1kΩ,
CI 4007

INTRODUCCIÓN
Los MOSFET presentan tresregiones de operación la cuales son región de
corte, tríodo y región de saturación. Para la región tríodo la ecuación
que describe el funcionamiento del transistor es la ecuación 1. Esto es
para VDS (Tensión de drenaje fuente) menor que VGS(Tensión compuerta
fuente) menos Vt(Tensión de umbral)
(Ecuación 1)
Cuando se hace la transición de región tríodo a región de saturación la
descripción delfuncionamiento corresponde a la ecuación 2.

(Ecuación 2)
Ahora cuando el transistor se conecta como diodo la ecuación 2 se reduce
a la ecuación 3 siempre en la región de saturación.

(Ecuación 3)
La compuertas lógicas están compuestas internamente por transistores, por
lo que la compuerta más simple que corresponde a una inversoraestá
compuesta por dos transistores uno tipo P y uno tipoN, y este arreglo se
le conoce como CMOS(complementary MOS) que es la utilización de los dos
tipos de transistores en una misma aplicación y esta es la base de todo
lo que se refiere a circuitos digitales, todos están hechos a base de
transistores.

UNIVERSIDAD DE EL SALVADOR

[LABORATORIO Nº2]

DESCRIPCION DE LOS CIRCUITOS
TAREA
1.
CARACTERÍSTICAS
DISPOSITVIO MOSFET.

DELELC-115

vero a VDD idealmente y asi poder
notar en que momento el compuerta
inversora actua. Los datos de
interes son Vf,Vo y Vi, se
utiliza
una
resistencia
de
Rf=1000 Ohms

Figura 1a (izquierda) Figura 1b (derecha)

En este circuito figura 1ª lo que
que se desea lograr es determinar
los valores de umbral de voltaje
y
la
constante
k
para
un
transistor tipo n esto implica
que laconexión del transistor es
como diodo quiere decirque la
tensión en el pin de drenaje es
el mismo que el de la compuerta.
Luego se debe realizar el mismo
procedimiento
pero
para
un
transistor tipo P figura 1b, en
la imagen correspondiente hay un
error y la conexión es estre los
pines 3 y 2 de la figura 1b. Tras
obtener los voltajes y corrientes
se procede al calculo de losconstantes requerida a traves de
los datos experimentales. Los VDM
que se observan se refieren a los
multimetros utilizados para tomar
las mediciones de corriente y
voltaje necesarias.
TAREA
2.
COMPUERTA
INVERSORA
CMOS.
En la figura 2 se muestra la
configuracion de una compuerta
inversora, pero con la inclusion
de un amplificador operaciónal
que LF356, el objetivo es que
tras fijar VDD sevaria Vi desde

UNIVERSIDAD DE EL SALVADOR

Figura 2
TAREA
3.
CARACTERISTICAS
DE
RETARDO
IDEALES
DE
COMPUERTA
INVERSORA.

Figura 3
En esta práctica se simulara con
el programa TINA el circuito
mostrado en la figura 3 que
corresponde
a
una
compuerta
inversora construida a partir de
MOSFET con el fin de obtener los
resultados gráficos del circuito
en condiciones ideales yasí
observar el comportamiento del
transistor enlas transiciones o
inversiones
que
realiza
la
compuerta, se graficaraVouty Vin
y
se
determinara
las
características de retardo.

[LABORATORIO Nº2]

TAREA
4.
CARACTERÍSTICAS
RETARDO
EN
CASCADA
DE
COMPUERTA INVERSORA.

DE
LA

Figura 4

En
esta
practica
se
simula
nuevamente el circuito de la
Figura 3 con la unica...