Laboratorio Electrónica

Procedimiento para el diseño de un Amplificador de Potencia Clase “B” de Simetría Complementaria (Colector Común) para los siguientes parámetros de inicio:





Paso 1 Determinar el voltajede la fuente de poder (Vcc).
La fuente de poder deberá de proveer el nivel de voltaje suficiente para proporcionar la potencia (PL) requerida en la impedancia de la carga (RL) de acuerdo lo siguiente:a) vLp = √(2*PL*RL) = __________________-- e iLp = vLp/RL = ____________________
si consideramos utilizar una fuente de poder sencilla con un nivel de voltaje superior en un 2% sobre los picosde potencia podremos determinar el voltaje seleccionado de preferencia, el próximo valor entero como sigue:
b) Vcc = 1.02*2*vLp, por lo tanto Vcc real = ________________

Paso 2 Determinar losparámetros para seleccionar el transistor de potencia.
Los parámetros iniciales para la selección del transistor bipolar son la Ganancia de Corriente (B o hfe), la máxima Corriente de Colector(Icmax) y el máximo voltaje que soporta la unión colector-emisor antes del valor de ruptura (Vceo), deberán de cumplir con lo siguiente:
B > Ai
Icmax > iLp
Vceo > Vcc/2
Como resultado se haseleccionado el transistor bipolar No. _________________________ que tiene las siguientes características: B = ____________, Icmax = __________________ y Vceo = _____________

Paso 3 Determinar losvalores de las resistencias de polarización de base, R1 y R2.
Utilizando la formula de la ganancia de corriente Ai = H*B donde B es la ganancia de corriente del transistor bipolar y H es la atenuacióndel circuito de entrada igual a.
c) H = Ai/B , d) H = Rb/(Rb+B*RL) y e) Rb = R2//R2 = R2/2
Para obtener el valor requerido de Rb calculamos H con la formula a) y después despejamos Rb de laformula d) donde f) Rb = (H/(1-H))*B*RL y g) R2 = 2*Rb
Rb = _______________ y R2 = ____________ , donde R2 =______________ Real
Una vez determinado e valor real de R2 calculamos R1 (R3)
h) R1...