Laboratorio fisica 3 dispositivos no-ohmicos

Universidad de Costa Rica

Facultad de Ciencias Básicas

Escuela de Física

Laboratorio de Física General III

Informe Especial 1

Dispositivos no-óhmicos

Ing. Marco Umaña

Andrés Segura A86077
Alejandro Murillo A84427
Luisanna Barboza A70822

19 de agosto del 2009

Índice

1. Introducción
2. Marco teórico
3. Datos
4. Análisis de los resultados
5.Conclusión
6. Anexos
7. Bibliografía

1. Objetivos

2. Introducción

2. Marco Teórico

3. Datos

Tabla 1: Curvas características de la relación entre corriente y voltaje

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Tabla 2: Curvas características de la relación entre corriente y voltaje con ajuste

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Tabla 3: Curvas características de la relación entre resistencia y corriente

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Análisis deresultados

En laboratorios del curso de Física General II se presentaron diversos experimentos para introducir el estudio de algunos conceptos básicos de la electricidad como el de resistencia, diferencia de potencial, intensidad y se comprobó en el laboratorio la relación lineal entre estas variables en los dispositivos óhmicos.

En el Laboratorio expuesto en el presente informe secompararan los resultados Teóricos con respecto a los experimentales obtenidos en esta Práctica. En la primera Grafica se analiza gráficamente la relación existente entre la corriente y el voltaje. Se exponen la grafica de una relación lineal y otras dos no lineales, correspondiendo a las del potenciómetro (resistencia variable a gusto del usuario) y a los diodos respectivamente. La pendiente de larecta relacionada con el potenciómetro efectivamente coincide con el valor de la resistencia utilizada en la practica, también se puede observar que no existen datos dispersos a lo largo de la recta.

Ahora estudiemos el caso de los Diodos semiconductores, que es el caso que más nos interesa. Empecemos primero con el Diodo de Silicio, conforme aumentamos el valor de la resistencia lacorriente no varia entre el intervalo formado entre 0V y 0,5V, comienza a percibir una corriente que para nuestro efecto es completamente despreciable pero nos acerca a un valor muy importante en la curva característica de un diodo, que es conocido como el voltaje de codo. La teoría nos marca que en la construcción de silicio, entre las uniones tipo P y tipo N, se forma una barrera que la fuente debevencer para poder producir un flujo de electrones (corriente eléctrica), este valor es de 0,7V. La gráfica mostrada ilustra que el valor en el que la corriente empieza a ser considerable es cerca de los 0.7V, resultando ser este el valor del voltaje codo. Nótese que nuestro experimento prueba lo que la teoría enuncia con respecto al Diodo Semiconductor fabricado con Silicio.

En el caso deldiodo de Germanio, tiene el mismo funcionamiento. A la hora de su construcción se forma una barrera de potencial entre sus capas N y P, pero en este caso el valor de la fuente debe superar el valor de 0,3 V para generar un movimiento de cargas entre las terminales. De igual forma se observa tanto en la Grafica 1 y la Grafica 2 dos cosas: la primera que el valor del voltaje codo es prácticamente de0.3V y la segunda el poco sesgo existente entre la curva de tendencia y los puntos obtenidos por el programa utilizado en el Laboratorio.

Ya para terminar este análisis centrémonos en la Grafica 3. Esta nos presente el esquema grafico de la Resistencia contra la Corriente. En un dispositivo óhmico la resistencia no varía prácticamente, lo que sucede en estos tipos de elementos es que alaumentar la corriente, la diferencia de potencial entre sus terminales va aumentando. También parte de la energía eléctrica se consume por medio de Calor, esto efectuado por el efecto Joule. Mientras que en los dispositivos semiconductores se observa la variación de la resistencia, esto provocado por la diferencia de potencia entre sus terminales. Recordemos que al ir aumentando el voltaje va cruzando...