laboratorio l1 ramiro

ANALISIS DE RESULTADOS
 Se obtuvo, basado en los resultados de las mediciones; que los diodos en conexión directa presenta una impedancia muy baja, lo que significa queel estado del diodo en este caso es como circuito cerrado o corto circuito.
Por otra parte, cuando los diodos están en conexión inversa su impedancia es muy alta; tiendea infinita, lo que significa que el estado del diodo en este caso es como circuito abierto.
 Características I-V del diodo de silicio en polarización en directo:
Alobservar los resultados de la grafica, se pudo verificar que el comportamiento de I –V del diodo polarizado en directo es tal como lo hemos visto en las clases teóricas.
Polarización en inverso: En esta parte de la práctica, se observo que la corriente de saturación inversa es considerablemente baja, sin importar con el tipo de diodo quese trabaje y pues la resistencia que se obtiene a partir de ella es significativamente alta, lo que corrobora lo visto en las clases teóricas, ya que para que el diodo secomporte como circuito abierto, la resistencia de el debe tender a infinito.
 Al observar la tendencia de la resistencia estática en la curva del diodo, se comprobó que amedida que el punto de operación en la grafica I-V se desplaza hacia la parte superior, la corriente iba aumentando; y la resistencia del diodo disminuía.
 Al trabajarcon la resistencia dinámica, se obtuvo la misma situación que con la resistencia estática, mientras la corriente aumentaba, la resistencia disminuía.
 que a medida quela temperatura aumentaba, el voltaje del diodo disminuía, el voltaje de la resistencia aumentaba, y por el contrario, la corriente del diodo aumentaba lentamente.