Laboratorio Transistor Jfet
Páginas: 10 (2438 palabras)
Publicado: 5 de febrero de 2013
TRANSISTORES JFET
LABORATORIO No 1 FUNCIONAMIENTO DE TRANSISTORES JFET COMO COMO SWITCH
RUBEN DARIO CUADROS ANTOLINEZ
ESCUELA DE COMUNICACIONES MILITARES
TECNOLOGIA EN ELECTRONICA Y COMUNICACIONES
III SEMESTRE
FACATATIVA (CUNDINAMARCA)
ENERO DEL 2013
RESUMEN
Este laboratorio se desarrolla con el fin de observar cómo puede llegar a ser el comportamiento de los transistor JFET,cuando estemos trabajando con el como un switch, del como estos varían en su funcionamiento, dependiendo del tipo de transistor que estemos usando y de acuerdo al transistor el voltaje correcto que se debe utilizar, para asi de esta forma obtener un optimo funcionamiento o un funcionamiento ideal.
INTRODUCCION Y OBJETIVOS
Los transistores más conocidos son los llamados bipolares (NPN yPNP), llamados así porque la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra su impedancia de entrada bastante baja.
Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que pertenece ala familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de cargas, y por tanto, son unipolares. Se llama transistor de efecto campo.
En el l siguiente Laboratorio se busca establecer, en como puede llegar ha ser el funcionamietno de los transistores JFET como switch, dando a cono cer en el proceso su definición, composición, estructura, sus diferentes modos de funcionamiento,los tipos de transistores bipolares que se tienen y el modo de operar de ellos, tomando datos reales y puntuales que se han obtenido durante el desarrollo del laboratorio con los cuales podremos brindar una mejor información para que esta quede a conideracion y posterior análisis por parte de quienes estén interesados por el desarrollo del laboratorio .
Objetivo general
Conocer elfuncionamiento de los transistores JFET como switch.
Objetivo especifico
Conocer los tipos de transistores bipolares.
Conocer los estados de corte y saturado de los transistores bipolares.
Realizar un laboratorio para observar los diferentes comportamientos de los transistores en los estados de corte, saturación y Zona activa.
MARCO TEORICO
TRANSISTOR UNION DE EFECTO DE CAMPO
JFET (Junction Field EffectTransistor)
Es un dispositivo de tres terminales y dos junturas, creado en un material semiconductor sólido cristalino (generalmente germanio, silicio, ó arseniuro de galio) con diferentes contaminaciones, que permite regular la circulación de una corriente eléctrica mediante una corriente de control, mucho menor.
El primer transistor se creó en los laboratorios Bell (EstadosUnidos de N.A.) en 1947, partiendo de una oblea de germanio, gracias a los trabajos de William Shockley, John Bardeen, y Walter Brattain, por lo cual recibieron el premio Nobel.
En el año 1954, la firma Texas Instruments de Estados Unidos, fabricó el primer transistor de silicio, lo cual bajó los costos y permitió, gracias a nuevas técnicas de fabricación, su comercialización a gran escala.Han reemplazado en la mayoría de las aplicaciones a los tubos ó válvulas electrónicas, en los circuitos de radio, audio, etc. permitiendo la fabricación de equipos portátiles e inmunes a vibraciones y de bajo consumo de energía (en los primeros tiempos se llamaba a los equipos transistorizados de "estado sólido" o "frios").
Como se indicó con anterioridad, el JFET es un dispositivo de tresterminales, siendo una de ellas capaz de controlar el flujo de corriente entre las otras dos. En nuestra explicación sobre el transistor BJT se utilizó el transistor npn a lo largo de la mayor parte de las secciones de análisis y diseño, con una sección dedicada a los efectos resultantes de emplear un transistor pnp. Para el transistor JFET el dispositivo de canal-n aparecerá como el dispositivo...
LABORATORIO No 1 FUNCIONAMIENTO DE TRANSISTORES JFET COMO COMO SWITCH
RUBEN DARIO CUADROS ANTOLINEZ
ESCUELA DE COMUNICACIONES MILITARES
TECNOLOGIA EN ELECTRONICA Y COMUNICACIONES
III SEMESTRE
FACATATIVA (CUNDINAMARCA)
ENERO DEL 2013
RESUMEN
Este laboratorio se desarrolla con el fin de observar cómo puede llegar a ser el comportamiento de los transistor JFET,cuando estemos trabajando con el como un switch, del como estos varían en su funcionamiento, dependiendo del tipo de transistor que estemos usando y de acuerdo al transistor el voltaje correcto que se debe utilizar, para asi de esta forma obtener un optimo funcionamiento o un funcionamiento ideal.
INTRODUCCION Y OBJETIVOS
Los transistores más conocidos son los llamados bipolares (NPN yPNP), llamados así porque la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra su impedancia de entrada bastante baja.
Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que pertenece ala familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de cargas, y por tanto, son unipolares. Se llama transistor de efecto campo.
En el l siguiente Laboratorio se busca establecer, en como puede llegar ha ser el funcionamietno de los transistores JFET como switch, dando a cono cer en el proceso su definición, composición, estructura, sus diferentes modos de funcionamiento,los tipos de transistores bipolares que se tienen y el modo de operar de ellos, tomando datos reales y puntuales que se han obtenido durante el desarrollo del laboratorio con los cuales podremos brindar una mejor información para que esta quede a conideracion y posterior análisis por parte de quienes estén interesados por el desarrollo del laboratorio .
Objetivo general
Conocer elfuncionamiento de los transistores JFET como switch.
Objetivo especifico
Conocer los tipos de transistores bipolares.
Conocer los estados de corte y saturado de los transistores bipolares.
Realizar un laboratorio para observar los diferentes comportamientos de los transistores en los estados de corte, saturación y Zona activa.
MARCO TEORICO
TRANSISTOR UNION DE EFECTO DE CAMPO
JFET (Junction Field EffectTransistor)
Es un dispositivo de tres terminales y dos junturas, creado en un material semiconductor sólido cristalino (generalmente germanio, silicio, ó arseniuro de galio) con diferentes contaminaciones, que permite regular la circulación de una corriente eléctrica mediante una corriente de control, mucho menor.
El primer transistor se creó en los laboratorios Bell (EstadosUnidos de N.A.) en 1947, partiendo de una oblea de germanio, gracias a los trabajos de William Shockley, John Bardeen, y Walter Brattain, por lo cual recibieron el premio Nobel.
En el año 1954, la firma Texas Instruments de Estados Unidos, fabricó el primer transistor de silicio, lo cual bajó los costos y permitió, gracias a nuevas técnicas de fabricación, su comercialización a gran escala.Han reemplazado en la mayoría de las aplicaciones a los tubos ó válvulas electrónicas, en los circuitos de radio, audio, etc. permitiendo la fabricación de equipos portátiles e inmunes a vibraciones y de bajo consumo de energía (en los primeros tiempos se llamaba a los equipos transistorizados de "estado sólido" o "frios").
Como se indicó con anterioridad, el JFET es un dispositivo de tresterminales, siendo una de ellas capaz de controlar el flujo de corriente entre las otras dos. En nuestra explicación sobre el transistor BJT se utilizó el transistor npn a lo largo de la mayor parte de las secciones de análisis y diseño, con una sección dedicada a los efectos resultantes de emplear un transistor pnp. Para el transistor JFET el dispositivo de canal-n aparecerá como el dispositivo...
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