Laboratorio

MEMORIAS “ELEMENTOS DE ELECTRONICA”

FREDY ORLANDO MARCELO CASTIBLANCO
COD: 2010171013

ESCUELA COLOMBIANA DE CARRERAS INDUSTRIALES
ELECTONICA INDUSTRIAL
ELEMENTOS DE ELECTRONICA
BOGOTA, 18 DE NOVIEMBRE DE 2010
ELEMENTOS DE ELECTRONICA

CORRIENTE ELECTRICA:

Es el movimiento de electrones libres a través de un CONDUCTOR metal.

CONDUCTOR: Es todo material (metales) que permiten lacirculación de corriente a través de él con gran facilidad. Los conductores más comunes son oro, plata, cobre, hierro,…etc.

AISLANTE: Es todo material (no metales) que no permiten la circulación de corriente a través de él, tales como lo son el caucho, plástico, cerámica, madera procesada, vidrio…..etc.

LOS SEMICONDUCTORES

Son dispositivos o componentes fabricados con materialestípicamente de silicio o germanio. Es todo material que permite o no la circulación de la corriente a través de el, el que permita o no el paso de la corriente depende de la polarización.

POLARIZACION: Son las condiciones mínimas necesarias para garantizar que el semiconductor permita o no el paso de la corriente.

TIPOS DE SEMICONDUCTORES

A. TIPO N ELECTRONESCARGA NEGATIVA

B. TIPO P PROTONES CARGA POSITIVA

C. TIPO I NO TIENE CARGA

CIRCULACION DE PORTADORES DE CORRIENTE EN LAS PASTILLAS

TIPO P


TIPO N

TIPO I


QUE SUCEDERA CON UNAPASTILLA TIPO I SI LA TEMPARATURA AUMENTA?

LA JUNTURA PN
TIPO P TIPO N


La juntura PN es la unión de las pastillas tipo P y tipo N, al hacer esta unión se forma una región de transición en la proximidades de la juntura, en la que no hay portadores de corriente, a menos que se leproporcione una tensión de polarización adecuada.

POLARIZACION DE LA JUNTURA PN DIRECTA
Se logra haciendo mas positiva la pastilla P que la N,si el grado de polarización supera un pequeño voltaje, llamado voltaje umbral, se desaparece la región de transición y los portadores de corriente podrán atrevesar la juntura, en cuanto mayor sea la tensión de polarización, tanto mayor será la intensidad decorriente que atraviesa la juntura.

POLARIZACION INVERSA DE LA JUNTURA PN
Aumenta el tamaño de la barrera y no produce corrientes. Sin embargo algunos portadores minoritarios atraviesan la juntura estableciendo una corriente indeseable de fuga.

EL DIODO SEMICONDUCTOR
Los diodos son uniones de dos materiales semiconductores extrínsecos tipo P y N por lo que también reciben el nombre deunión PN.
1. FORMA FISICA

2. SIMBOLO

3. DATOS IMPORTANTES DE FABRICA:

A. El fabricante del componente suele informar al usuario que la cantidad de corriente máxima puede soportar cuando esta polarizado e directo.
B. El voltaje máximo inverso de ruptura mas avalancha
C. El fabricante informa otros datos como corriente máxima pico, tipo de material utilizado en lafabricación, temperatura máxima de trabajo.

4. TIPOS DE POLARIZACION:

A. EN DIRECTO: Para polarizar una juntura PN en directo asegúrese que la PASTILLA P SEA MAS POSITIVA Q LA PASTILLA N, al polarizar un diodo en directo , circula corriente a través de él.

B. EN INVERSO: Se polariza una juntura PN en inverso haciendo mas positiva la pastilla N que la P, bajo esta condición la barrera detransición se amplia y la corriente no circula.

CURVA CARACTERISTICA DE LOS DIODO REAL:

Tensión umbral, de codo de partida(V ).

La tensión umbral (también llamada barrera de potencial) de polarización directa coincide en
valor con la tensión de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar
directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo,...