Laboratorio
Páginas: 4 (880 palabras)
Publicado: 2 de marzo de 2014
Teoría
¿Qué es un transistor bipolar de juntura y por qué se llama así?
El Transistor Bipolar de Juntura, abreviado como TBJ, es un dispositivo electrónico semiconductor, construido a partir de3 regiones dopadas y 2 junturas PN. Este dispositivo consta de 3 terminales: Emisor (E), Base (B) y Colector (C). La característica principal de este dispositivo es que tiene la propiedad decontrolar una corriente en la puerta de salida mediante una corriente en la puerta de entrada.
¿Qué son los parámetros β (beta) y α (alfa) y como se relacionan entre sí?
Parámetro alfa ()
Indicala relación entre las corrientes de colector y emisor
Su valor es algo inferior a la unidad.
Parámetro beta o ganancia de corriente ()
Es la relación entre las corrientes de colector y debase.
Se puede deducir la relación entre ambos parámetros.
La ganancia de corriente no es constante, sino que aumenta con la corriente de colector y con la temperatura.
Al diseñarcircuitos con transistores se incluyen sistemas que compensen o minimicen estas variaciones.
Dibuje los símbolos del transistor, diferenciando entre NPN y PNP, así como sus terminales.Dibuje y explique que es un amplificador tipo Darlington.
En electrónica, el transistor Darlington o AMP es un dispositivo semiconductor que combina dos transistoresbipolares en un tándem (a veces llamado par Darlington) en un único dispositivo.
La configuración (originalmente realizada con dos transistores separados) fue inventada por el ingeniero de losLaboratorios Bell Sidney Darlington. La idea de poner dos o tres transistores sobre un chip fue patentada por él, pero no la idea de poner un número arbitrario de transistores que originaría la ideamoderna de circuito integrado.
Del circuito de la figura 1 calcular: ICQ, IBQ, VCEQ; con los siguientes parámetros: β = 200, VBE = 0.7v, VBB = 1.5v, VCC = 9v.
IBQ:...
¿Qué es un transistor bipolar de juntura y por qué se llama así?
El Transistor Bipolar de Juntura, abreviado como TBJ, es un dispositivo electrónico semiconductor, construido a partir de3 regiones dopadas y 2 junturas PN. Este dispositivo consta de 3 terminales: Emisor (E), Base (B) y Colector (C). La característica principal de este dispositivo es que tiene la propiedad decontrolar una corriente en la puerta de salida mediante una corriente en la puerta de entrada.
¿Qué son los parámetros β (beta) y α (alfa) y como se relacionan entre sí?
Parámetro alfa ()
Indicala relación entre las corrientes de colector y emisor
Su valor es algo inferior a la unidad.
Parámetro beta o ganancia de corriente ()
Es la relación entre las corrientes de colector y debase.
Se puede deducir la relación entre ambos parámetros.
La ganancia de corriente no es constante, sino que aumenta con la corriente de colector y con la temperatura.
Al diseñarcircuitos con transistores se incluyen sistemas que compensen o minimicen estas variaciones.
Dibuje los símbolos del transistor, diferenciando entre NPN y PNP, así como sus terminales.Dibuje y explique que es un amplificador tipo Darlington.
En electrónica, el transistor Darlington o AMP es un dispositivo semiconductor que combina dos transistoresbipolares en un tándem (a veces llamado par Darlington) en un único dispositivo.
La configuración (originalmente realizada con dos transistores separados) fue inventada por el ingeniero de losLaboratorios Bell Sidney Darlington. La idea de poner dos o tres transistores sobre un chip fue patentada por él, pero no la idea de poner un número arbitrario de transistores que originaría la ideamoderna de circuito integrado.
Del circuito de la figura 1 calcular: ICQ, IBQ, VCEQ; con los siguientes parámetros: β = 200, VBE = 0.7v, VBB = 1.5v, VCC = 9v.
IBQ:...
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