ley de omh

ley de ohm: la intencidad de corriente que circula entre dos puntos es proporcional ala
tencion electrica entre ellos o entre dichos puntos.

La banda de valencia (BV): está ocupada por los electrones de valencia
de los átomos, es decir, aquellos electrones que se encuentran
en la última capa o nivel energético de los átomos.
Los electrones de valencia son los que forman los enlaces entrelos átomos,
pero no intervienen en la conducción eléctrica.

La banda de conducción (BC): está ocupada por los electrones libres,
es decir, aquellos que se han desligado de sus átomos y pueden moverse
fácilmente. Estos electrones son los responsables de conducir la
corriente eléctrica.

La teoría de bandas: se basa en el hecho de que en una molécula
los orbitales de un átomo se solapanproduciendo un número discreto de
orbitales moleculares.

Un hueco de electrón: es la ausencia de un electrón en la banda de valencia
Tal banda de valencia estaría normalmente completa sin el "hueco",
El hueco de electrón tiene valores absolutos de la misma carga que el
electrón pero, contrariamente al electrón, su carga es positiva.

Se conoce como hibridación: a la combinación deorbitales atómicos dentro
de un átomo para formar nuevos orbitales híbridos.
Los orbitales atómicos híbridos son los que se superponen en la
formación de los enlaces, dentro de la teoría del enlace de valencia,
y justifican la geometría molecular.

brecha energética: es la diferencia de energía entre la parte superior
de la banda de valencia y la parte inferior de la banda de conducción.
Estápresente en aislantes y semiconductores.

Diodo zener: Dispositivo p-n que si se le aplica una corriente eléctrica
del ánodo al cátodo (polarización directa) toma las características de un diodo
rectificador básico, pero si se le suministra corriente eléctrica de cátodo
a ánodo(polarización inversa), el diodo solo dejara pasar una tensión constante.

Dopado: al proceso intencional de agregarimpurezas en un semiconductor
extremadamente puro (también referido como intrínseco) con el fin de cambiar
sus propiedades eléctricas. A los semiconductores con dopajes ligeros y
moderados se los conoce como extrínsecos. Un semiconductor altamente dopado,
que actúa más como un conductor que como un semiconductor, es llamado degenerado.

Un material ferroeléctrico: es aquel que espontáneamenteposee
una polarización eléctrica cuyo sentido se puede invertir mediante aplicación
de un campo eléctrico externo suficientemente alto (histéresis ferroeléctrica).

Un material piezoeléctrico: es aquel que, debido a poseer una polarización espontánea, genera un voltaje cuando se le aplica presión o,
inversamente, se deforma bajo la acción de un campo eléctrico.
Cuando el campo eléctricoaplicado es alterno, este produce una vibración
del piezoeléctrico.
Un material piroeléctrico: desarrolla un campo eléctrico cuando se
calienta. Algunas cerámicas piroeléctricas son tan sensibles que pueden detectar
cambios de temperatura causados por el ingreso de una persona a un cuarto
(aproximadamente 40 microkelvin).

Polarización directa:
Si el terminal positivo de la fuente estáconectado al material tipo p
y el terminal negativo de la fuente está conectado al material tipo n,
diremos que estamos en "Polarización Directa".
En este caso tenemos una corriente que circula con facilidad,
debido a que la fuente obliga a que los electrones libres y huecos fluyan
hacia la unión. Al moverse los electrones libres hacia la unión, se crean
iones positivos en el extremo derecho de launión que atraerán a los electrones
hacia el cristal desde el circuito externo.

Polarización inversa:
Se invierte la polaridad de la fuente de continua, el diodo se polariza en
inversa, el terminal negativo de la batería conectado al lado p y el positivo
al n, esta conexión se denomina "Polarización Inversa".
El terminal negativo de la batería atrae a los huecos y el terminal positivo...