LO QUE HAY QUE SABER SOBRE EL PANEL FOTO VOLTAICO
Páginas: 3 (536 palabras)
Publicado: 11 de febrero de 2014
LO QUE HAY QUE SABER SOBRE EL PANEL FOTOVOLTAICO:
En una célula solar la luz incide en una delgada capa de tipo “n” (de menos de una micra), con ello se forman parejas electrón-hueco. Elmaterial tipo “p” concentra huecos creándose la diferencia de potencial. Al cerrar el circuito surge una primera dificultad: debe ofrecer la menor resistencia, oro o platino, lo que es caro.
Una segundadificultad surge de la perdida de rendimiento por absorción incompleta de la radiación, utilización de una pequeña parte de la energía del fotón, factor en relación al voltaje a circuito abierto y enrelación a la tensión ideal de unión p-n
En relación a la estructura de los cristales de silicio constitutivos, existen dos tipos: mono-cristalino y poli-cristalino. El primero es más claro yuniforme lo que le proporciona un mayor rendimiento (12-16%) pero comparado con el menor rendimiento (11-14%) frente al costo de
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su producción se cancela dicha ventaja. Una producción en lasregiones ex -soviéticas han reducido los precios. Se producen de bióxido de silicio de la arena del mar.
En relación a los métodos de fabricación también incide en los costos:
*Método decrecimiento de Czocharalski: se gira una semilla de cristal sumergida en cristal de3 silicio, se pierde el 70%, y sus células tienen un rendimiento de 15-18%.
*Proceso Westinghouse”, se forma una cintaestrecha de silicio entre dos semillas y se tira hacia arriba. Se logran 24cm cuadrados por minuto y rendimiento de 12%.
*Proceso EFG o Borde definido”, la cinta se tira en una ranura dejando bordesde grafito se logra un rendimiento de 11%.
*”Proceso RTR”, se hacen crecer en vapor capas de silicio refinado posteriormente con laser logrando rendimiento de 9-10%.
Con otros procedimientos comoel bombardeo de un haz de Oxido de Indio-Estaño (12% y la implantación de iones con templamiento térmico (14%-16%), hacen prever que con el desarrollo de la tecnología de fabricación se compensaran...
En una célula solar la luz incide en una delgada capa de tipo “n” (de menos de una micra), con ello se forman parejas electrón-hueco. Elmaterial tipo “p” concentra huecos creándose la diferencia de potencial. Al cerrar el circuito surge una primera dificultad: debe ofrecer la menor resistencia, oro o platino, lo que es caro.
Una segundadificultad surge de la perdida de rendimiento por absorción incompleta de la radiación, utilización de una pequeña parte de la energía del fotón, factor en relación al voltaje a circuito abierto y enrelación a la tensión ideal de unión p-n
En relación a la estructura de los cristales de silicio constitutivos, existen dos tipos: mono-cristalino y poli-cristalino. El primero es más claro yuniforme lo que le proporciona un mayor rendimiento (12-16%) pero comparado con el menor rendimiento (11-14%) frente al costo de
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su producción se cancela dicha ventaja. Una producción en lasregiones ex -soviéticas han reducido los precios. Se producen de bióxido de silicio de la arena del mar.
En relación a los métodos de fabricación también incide en los costos:
*Método decrecimiento de Czocharalski: se gira una semilla de cristal sumergida en cristal de3 silicio, se pierde el 70%, y sus células tienen un rendimiento de 15-18%.
*Proceso Westinghouse”, se forma una cintaestrecha de silicio entre dos semillas y se tira hacia arriba. Se logran 24cm cuadrados por minuto y rendimiento de 12%.
*Proceso EFG o Borde definido”, la cinta se tira en una ranura dejando bordesde grafito se logra un rendimiento de 11%.
*”Proceso RTR”, se hacen crecer en vapor capas de silicio refinado posteriormente con laser logrando rendimiento de 9-10%.
Con otros procedimientos comoel bombardeo de un haz de Oxido de Indio-Estaño (12% y la implantación de iones con templamiento térmico (14%-16%), hacen prever que con el desarrollo de la tecnología de fabricación se compensaran...
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