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1. Los transistores como se clasifican.
a) ánodo y cátodo
b) NPN – PNP
c) PN | NP
d) positivos y negativos

2. Los transistores son dispositivos semiconductores de:
a) una terminal
b) dos terminales
c) tres terminales
d) cuatro terminales

3. En un transistor a la región más delgada o de disparo se le llama:
a) ánodo b) cátodo c) compuerta d) base

4. Los transistores se puedenconfigurar en:

a) 4 formas
b) 3 formas
c) 2 formas
d) 1 forma

5. En un transistor PNP, la región N corresponde a la región del:
a) emisor b) base c) colector d) fuente

6. La región de la base en un transistor NPN es la que corresponde al cristal tipo:
a) cristal tipo P
b) cristal tipo N
c) cristal tipo NP
d) cristal tipo PN

7. La función de amplificación en un transistorconfigurado en base común se logra en la unión
a) emisor-base
b) emisor-colector
c) base-colector
d) base-compuerta
8. La β o hfe es un transistor en configuración emisor común, siempre es:
a) mayor que 1
b) menor que 1
c) igual a 1
d) igual a -1

9. La “α” o hfb en un transistor NPN el negativo se conecta al emisor, el positivo se conecta a la base y el colector se conecta a:
a) mayor que 1
b) menorque 1
c) igual a 1
d) igual a -1

10. En un transistor, NPN el negativo se conecta al emisor, el positivo se conecta a la base y el colector se conecta a:
a) a nada b) a tierra c) a más de 5v d) al positivo

11. En un transistor de Germanio el voltaje entre la base y el emisor tiene un valor de:
a) 0.7 v b) 0.3 v c) 1 v d) 2v

12. Dibujar las 3 configuraciones del transistor anotandosus nombres respectivos.
a) Emisor común Base Común Colector Común





13. Cuáles son las características de un amplificador conectado en la configuración de colector común.

Se caracteriza por tener una muy alta impedancia de entrada, una muy baja impedancia de salida, una ganancia de voltaje ligeramente menor a la unidad, y ganancia de corriente alta.

14. Si se polarizainversamente con un óhmetro la base y el colector de un transistor su resistencia debe ser:
a) alta b) baja c) variable d) nula

15. En un transistor PNP las regiones P corresponden a :
a) la base y el emisor
b) base y colector
c) emisor y colector
d) ánodo y cátodo

16. Los materiales más utilizados para la fabricación de los transistores son:
a) germanio y silicio
b) aluminio y cobre
c)oro y plata
d) cobre y bronce

17. En el símbolo de un transistor la flecha que entra o que sale corresponde a la terminal de:
a) tierra b) base c) emisor d) colector
18. La intensidad de corriente que circula en el emisor de un transistor es:
a) mayor que la corriente de la base
b) menor que la corriente del colector
c) negativa con respecto al colector
d) igual que la de la base

19. Quenombre se le da a las tres terminales de transistor
Emisor, Colector y Base

20. La aplicación más popular del transistor es:
a) la atenuación
b) la modulación
c) la detección de señales
d) la amplificación
21. Ie= Ib + Ic (describir la formula)

La intensidad del colector es igual a la intensidad de la base más la intensidad del colector

22. ß = (describir la formula)
Betaes igual a la intensidad del colector entre la intensidad de la base
23. α = (describir la formula)
Alfa es igual a la intensidad del colector entre la intensidad del emisor

24. Si Ic= 50 Ib = 2 nA
Ie = 52 uA
ß = 1.04/1-1.04= 26
α = 1.04
25. Si Ie = 5.2 A Ib = 250 mA
Ic = 5.2 A – 250mA = 4.95 A
ß = 4.95 / .25 A = 19.8 A
α = 4.95 / 5.2 A = 0.95A

26. Si se polariza directamente con un óhmetro el emisor y la base de un transistor su resistencia debería ser:
a) alta b) baja c) cero d) infinita

27. Cuando se utiliza el óhmetro para probar un transistor y se obtiene una lectura de baja resistencia a que corresponde:
a) a las terminales base – emisor polarizadas directamente
b) a las terminales base – emisor polarizadas inversamente
c) a...