Los Fet

TRANSISTORES FET
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Tipos de transistores de efecto campo

El agotamiento de tipo FET bajo voltaje típico. JFET, poli-silicio MOSFET de doble puertade MOSFET, MOSFET de metal-gate, MESFET.  agotamiento  ,  los electrones  ,  los agujeros  ,  de metal  ,  aislante  . Inicio = fuente, abajo = drenaje, a la izquierda la puerta =, derecho a granel=.Tensiones que conducen a la formación de canales no se muestran
El canal de la FET es dopado para producir ya sea un semiconductor de tipo N o unsemiconductor tipo P . El drenaje y la fuente puedeser dopado de tipo opuesto al canal, en el caso del agotamiento de la FET modo, o dopado de tipo similar para el canal como en la mejora del modo de FET. Transistores de efecto campo también sedistinguen por el método de aislamiento entre el canal y la puerta. Tipos de FET son:
* CNTFET (nanotubos de carbono de efecto de campo transistor)
* El DEPFET es un FET se formó en un sustratocompletamente y actúa como un nodo sensor, un amplificador y la memoria al mismo tiempo. Puede ser utilizado como una imagen (fotones) del sensor.
* El DGMOSFET es un MOSFET con puertas de doble.
*El DNAFET es un FET especializado que actúa como un biosensor , con una puerta hecha de una sola hebra de ADN para detectar moléculas juego cadenas de ADN.
* El FREDFET (diodo rápido de larecuperación o retroceder rápidamente epitaxial FET) es un FET especializado diseñado para proporcionar una recuperación muy rápida (apagado) del diodo cuerpo.
* El HEMT ( transistor de alta movilidadde electrones ), también llamado HFET (heteroestructura FET), se puede hacer uso de banda prohibida de ingeniería en un semiconductor ternario como AlGaAs . El edificio está totalmente agotado de bandaancha brecha de material forma el aislamiento entre la puerta y el cuerpo.
* El IGBT ( transistor de puerta aislada bipolar ) es un dispositivo de control de potencia. Tiene una estructura...