Love

BiCMOS (contracción de Bipolar-CMOS) es el nombre de una tecnología de fabricación de circuitos integrados que combina las ventajas de las tecnologías bipolar y CMOS integrándolas juntas enun mismo wafer.

Consideremos como ejemplo de circuito BiCMOS un amplificador de dos etapas (la primera con un transistor MOS y la segunda con un BJT). Está claro que la primera etapa aportauna elevada impedancia de entrada y la segunda una baja resistencia de salida. Pero además para determinadas configuraciones, sobre todo el cascode, presenta también la característica de unabaja capacitancia (casi tanto como en el caso de un sólo BJT). Lo que se traduce en amplificadores con un alto ancho de banda y circuitos lógicos con alta velocidad de conmutación.Desventajas [editar]
El principal inconveniente de esta tecnología reside en ajustar por separado las características de los componentes BJT y MOS. Esto aumenta el número de etapas del proceso defabricación y en consecuencia su coste.
Adicionalmente, si atendemos a criterios de rendimiento la tecnología BiCMOS nunca puede ofrecer los bajos niveles de consumo de la tecnología CMOS.

HTL(High Treshold-Logic, Lógica de alto umbral) es una tecnología desarrollada a partir de la tecnología DTL (Diode-Transistor Logic, lógica diodo-transistor), pertenece a la familia de circuitosintegrados bipolares.
Descripción [editar]
Es una variante de la tecnología DTL llamada "Lógica de alto umbral" que incorpora diodos zener para crear un gran desplazamiento entre los estadosde voltaje lógicos 1 y o. Estos dispositivos operan con una fuente de tensión de 15 Voltios y los encontramos controles industriales en donde la intensión el minimizar los efectos del ruido.* Fan Out = 10
* Potencia disipada = 55mW
* Tiempo de propagación = 150nS
* Vcc = 14-15 V
* VoH max = 15V
* VoH min = 8.5V
* VoL max = 6.5V
* VoL min = oV