Lógica Digital aplicada en PLC

Transistor IGBT
Inicio
En la década de los 80’s, consientes de las limitaciones de los transistores actuales, un grupo de investigadores dio inicio a los dispositivos que serian la recolección decualidades de disparo del MOSFET y las de potencia de los BJT.
El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor quegeneralmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee la características de las señales de puerta de los transistores de efecto campo con lacapacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solodispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT.
Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habían sidoviables hasta entonces, en particular en los Variadores de frecuencia así como en las aplicaciones en máquinas eléctricas y convertidores de potencia que nos acompañan cada día y por todas partes, sinque seamos particularmente conscientes de
eso: automóvil, tren, metro, autobús, avión, barco, ascensor, electrodoméstico, televisión, domótica, Sistemas de Alimentación Ininterrumpida o SAI (en InglésUPS), etc.
Introducción
Durante mucho se tiempo se busco la forma de obtener un dispositivo que tuviera una alta impedancia de entrada y que fuera capaz de manejar altas potencias a altasvelocidades, esto dio lugar a la creación de los Transistores bipolar de puerta aislada (IGBT). Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habían sido viables hasta entonces y se describirán másadelante. 
Estructura
El IGBT es un dispositivo semiconductor de cuatro capas que se alternan (PNPN) que son controlados por un metal-óxido-semiconductor (MOS), estructura de la puerta sin una...