mantenimiento

República Bolivariana de Venezuela
Ministerio del Popular Para la Educación Universitaria
Instituto Universitario de Tecnología del Oeste “Mariscal Sucre”
Carrera: Ing. Mantenimiento
Mención: Equipos Eléctricos
Sección: 95212 Nocturno




Fet-mosfet


Prof.: Ing. Ángel Tocuyo Integrantes:
Angélica altamar c.i:19734909
José umbríac.i:18378273
Yaniry Orosco c.i:19753657


Caracas, octubre 2014
Transistores de efecto de campo o FET
El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET, en inglés) es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas pordiferencia de potencial.
La mayoría de los FET están hechos usando las técnicas de procesado de semiconductores habituales, empleando la oblea monocristalina semiconductora como la región activa o canal. La región activa de los TFT (thin-film transistor, o transistores de película fina) es una película que se deposita sobre un sustrato (usualmente vidrio, puesto que la principal aplicación de los TFT escomo pantallas de cristal líquido o LCD).
Los transistores de efecto de campo o FET más conocidos son los JFET (Junction Field Effect Transistor), MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET) y MISFET (Metal-Insulator-Semiconductor FET).
Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La puerta es la terminal equivalente a la base del BJT (Bipolar JunctionTransistor). El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensión, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente.
El funcionamiento del transistor de efecto de campo es distinto al del BJT. En los MOSFET, la puerta no absorbe corriente en absoluto, frente a los BJT, donde la corriente que atraviesa la base, pesea ser pequeña en comparación con la que circula por las otras terminales, no siempre puede ser despreciada. Los MOSFET, además, presentan un comportamiento capacitivo muy acusado que hay que tener en cuenta para el análisis y diseño de circuitos.
Así como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o FET son también de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de sila aplicación de una tensión positiva en la puerta pone al transistor en estado de conducción o no conducción, respectivamente. Los transistores de efecto de campo MOS son usados extensísimamente en electrónica digital, y son el componente fundamental de los circuitos integrados o chips digitales.
Características
Tiene una resistencia de entrada extremadamente alta (casi 100MΩ).
No tiene unvoltaje de unión cuando se utiliza como conmutador (interruptor).
Hasta cierto punto es inmune a la radiación.
Es menos ruidoso.
Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad térmica.
Aplicaciones
Aislador o separador Impedancia de entrada alta y Uso general, equipo de medida, (buffer) de salida baja receptores Sintonizadores de FM, equipo para Amplificador de RF Bajo ruidocomunicaciones Baja distorsión de Receptores de FM y TV, equipos para Mezclador intermodulación comunicaciones Facilidad para controlar Amplificador con CAG Receptores, generadores de señales ganancia Instrumentos de medición, equipos de Amplificador cascodo Baja capacidad de entrada prueba Amplificadores de cc, sistemas de Troceado Ausencia de deriva control de dirección Resistor variable porAmplificadores operacionales, órganos Se controla por voltaje electrónicos, controlas de tono Amplificador de baja Capacidad pequeña de Audífonos para sordera, transductores frecuencia acoplamiento inductivos Mínima variación de Generadores de frecuencia patrón, Oscilador frecuencia receptores Integración en gran escala, Circuito MOS digital Pequeño tamaño computadores, memorias
Simbología


Canal N...